SK海力士将在1c DRAM生产中采用新型Inpria MOR光刻胶

　　近日，越来越多的企业如韩国 SK 海力士和三星电子正积极投身于 DRAM 微型化创新以及新材料研发。

　　据 TheElec报道，SK Hynix 已决定在其第 6 带（即 1c 工艺，约为 10nm）DRAM 生产过程中采用 Inpria 下一代金属氧化物光刻胶（MOR），这是 MOR 首次应用于 DRAM 大规模生产。

　　据悉，SK Hynix 所生产的 1c DRAM 包含五个极紫外（EUV）层，其中一层将采用 MOR 技术进行绘制。同时，消息人士透露，三星电子也有意采用此类无机 PR 材料。

　　值得注意的是，Inpria 是日本化学公司 JSR 的子公司，在无机光刻胶领域处于领先地位；而 MOR 被视为先进芯片光刻的化学放大光刻胶（CAR）的未来发展方向。

　　此外，自 2022 年起，Inpria 便开始与 SK Hynix 共同开展 MOR 研究。SK Hynix 曾表示，Sn（基）氧化物光刻胶的使用将有助于提升下一代 DRAM 的性能及降低成本。

　　TheElec 进一步指出，三星电子亦在考虑将 MOR 引入 1c DRAM 生产，目前三星电子在 1c DRAM 上共运用了 6~7 个 EUV 层，而美光仅使用了 1 层。