南亚科技明年初试产DDR5内存颗粒，四款1Bnm制程DRAM产品已投产

　　5月30日，据台湾媒体《工商时报》与《经济日报》报道，南亚科技在昨日召开的年度股东大会上透露，公司首款1C nm制程DRAM内存产品——16Gb DDR5颗粒将在明年初开始试生产。

　　据悉，现有的南亚科技已投入8/4Gb DDR4内存以及16Gb DDR5内存的1B nm制程试生产中。他们计划下半年少量推出DDR5产品并逐步提高产量，预计明年产量将会进一步增加。

　　除此之外，南亚科技还在1B nm节点规划了包括16Gb DDR5迭代版、16Gb LPDDR5内存、16Gb LPDDR4内存及4Gb DDR3内存在内的多种产品。

　　值得注意的是，南亚科技今年将同步研发TSV技术，旨在结合DDR5内存颗粒与该技术，打造出高容量的（3DS）DRAM内存模组以满足服务器市场需求。

　　南亚科技表示，公司在每一个制程世代均能实现30%的位元提升速度，目前正在与比利时imec微电子研究中心合作，为采用EUV光刻机的先进DRAM制程做好准备。

　　此外，南亚科技4月份实现了32.06亿新台币（约合7.18亿元人民币）的合并营收，同比大幅增长41.88%。