基本半导体推出了一种混合式IGBT（混合碳化硅分立器件）

传统电力电子应用中，IGBT的续流二极管一般以硅基FRD（快恢复二极管）为主，而硅基FRD的性能限制了IGBT的开通和关断行为的潜力，对开关损耗是很大的拖累。为此，基本半导体研发推出了一种混合式IGBT（即混合碳化硅分立器件）来解决这一问题，即在IGBT中把续流二极管用碳化硅肖特基二极管替代硅基FRD，可使IGBT的开通与关断的潜力得以全部释放，开关损耗大幅降低。

今天的“SiC科普小课堂”——混合式IGBT话题第五讲中，基本半导体市场部总监魏炜将从应用角度为大家介绍不同拓扑中混合式IGBT器件的应用优势如何体现，以及基本半导体的产品选型推荐。

基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，在部分应用中可以替代传统的IGBT，使IGBT的开关损耗大幅降低，适用于储能（ESS）、车载充电器（OBC）、不间断电源（UPS）、光伏组串逆变器等领域。

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审核编辑：刘清