北京智芯微电子科技有限公司获芯片三维建模专利

　　北京智芯微电子科技有限公司近期获得了一项“芯片的三维建模方法、装置、电子设备及存储介质”专利权，授权编号CN117556777B，最近公布日期为2024年5月28日，申请日期为2024年1月12日。

　　此项发明涉及半导体技术领域，主要内容是提供一种芯片的三维建模方法、装置、电子设备及存储介质。具体步骤包括：首先获取芯片的平面版图，同时获取芯片流片的层级信息与光罩信息；然后根据这些信息，确定平面版图中芯片各层对应的层级几何参数；接着通过逻辑运算得出芯片的轻掺杂漏结构的层级几何参数；最后综合利用上述信息，对芯片进行三维建模，生成包含轻掺杂漏结构对应模块的三维结构模型。这种方法能够精确构建包含LDD区域的三维结构模型，全面准确地展现芯片的几何结构，确保模型中器件电学性能及可靠性的准确性，从而提高芯片仿真的精度。