使用FET的低压晶体振荡器电路

描述

我们可以很容易地使用FET和晶体来产生频率作为低压晶体振荡器电路,1.5V-10V电源。

它只能在 1.5 V 的电源电压和 100 kHz 至 10 MHz 的晶振频率下工作。

晶体连接到 FET-T1 BF256 的漏极和栅极之间。它以并联线圈形式在共振模式下运行。

电感L1的频率稳定性更好,可以在很宽的频率范围内使用晶体,虽然晶体不合适,但也可以工作。

振荡器电路

使用FET的低压晶体振荡器电路

电容器 C1 与晶体连接,作为 180 度返回相位的“填充物”,到 FET 的输入端。输出将由 T2 缓冲。

该设计电路经过测试,可在 100 kHz、1 MHz、4 MHz、8 MHz 和 10 MHz 的频率下运行,最低电压仅为 1.5 V。

您需要的零件

T1:BF256 FET 晶体管

T2:BC147 NPN 晶体管

C1:1nF 50V (0.001uF) 陶瓷电容器

C2:22nF 50V (0.022uF) 陶瓷电容器

X‘t:100K-10MHz 晶振

R1:4.7M 0.25W电阻

R2:220欧姆 0.25W电阻

审核编辑:陈陈 

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