展望2013:DRAM产业五大重点趋势预测

根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查显示，12月上旬合约价格受到现货价格拉抬的激励，平均涨幅约2%，下旬合约价更延续上旬上涨的气势，尤其是主流模组4GB的高价位价格上涨最多，达到3.17%，成交价格落在美金16.25元，与合约均价价格（美金15.75美元）的价差已经拉大到呈现0.5美元的间距，显示不同DRAM产业五大趋势分析

2012年对DRAM产业确实是艰困的一年，如美光正式并购尔必达、台系DRAM厂退出或转型代工业务，甚至价格上2Gb最低曾来到0.6美元，大部分DRAM厂商都面临亏损；所幸危机亦带来转机，随着各DRAM厂调整生产计划，年末现货价格大涨超过20%，合约价格亦同步反转成上涨格局，为2013年DRAM产业带来新的契机。总结2012年DRAM市场动态并展望2013年，TrendForce提出新的一年DRAM市场值得持续关注的五大重点趋势如下：

1. 三星、SK海力士、美光三强鼎立，大者恒大市场趋势确立

由于美光正式整并尔必达已在程序处理当中，整并作业预计将于今年下半年尘埃落定，新美光集团营收规模将与SK海力士在伯仲之间，再加计三星的市占率，三大集团的市占率将超过90%，不光市场呈现大者恒大的趋势，也确立DRAM市场寡占的态势确立，三大集团各自拥有DRAM与NAND Flash的技术下，对于产品组合将可以更灵活的调配运用，在价格走势上将更倾向寡占的市场格局，将有助于价格回归健康面。

2. 移动内存与服务器用内存跃升市场主流，标准型内存比重持续降低

由于智能型手机与平板计算机的热卖，TrendForce预估2013年下半年移动内存将取代标准型内存成为市场主流，LPDDR2内存仍是2013年的主流规格，紧随着Intel Haswell芯片组的推出，移动内存将首度进军笔记本电脑市场。同时，服务器用内存亦受惠于云端需求的兴起，单机搭载容量亦有将近30%的跃升，2013年将占总产出量的20%，标准型内存在DRAM厂的策略考虑下，产出量将进一步萎缩，预估今年位元产出将较去年大幅衰减27%。

3. 20nm与30nm制程将是2013年市场主流规格，唯制程转进趋缓是各DRAM厂共识

DRAM市场由于经历近几年的低档盘旋，大部分DRAM厂都面临大幅亏损的压力，加上进入20nm制程以下需要购入EUV机台，资本支出更甚浸润式机台（immersion scanner），不少DRAM厂已经递延转进20nm以下制程的进度至明年，TrendForce预估今年DRAM厂仍将以20nm及30nm制程作为市场主流，往年动辄一年有两个世代交替的快速转进将不复见。

4. 台系DRAM厂2013上半年全面退出标准型内存市场，朝利基型与代工事业转型

去年下半年随着南科宣布退出标准型内存市场，正式宣告***品牌在标准型内存的领域结束；与华邦电子相同，南科将专注于利基型内存的生产，力晶也在去年转型代工业务，今年开始不再生产标准型内存，瑞晶与华亚科将以代工厂的形式继续生产标准型内存，成为新美光集团生产的支持体系。

5. 减产效应发酵，带动2013年标准型内存价格涨价新契机

有鉴于去年下半年2Gb标准型内存价格最低来到0.6美元，部份DRAM厂纷纷启动减产机制，加上大厂加速转进移动内存与服务器内存，配合上PC-OEM于年末的库存回补，去年12月现货市场大涨逾20%，合约市场亦正式反转成上涨格局，虽然PC需求端状况尚不明朗，但在标准型内存供给持续短少下，2013 年标准型内存价格将持续向上、逐步恢复的趋势将指日可待。