什么是IGBT 它有什么作用

　　IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种高效的半导体器件，集成了MOSFET的输入特性和BJT的输出特性。这种结合使得IGBT在开关速度、电压承载能力和电流处理能力方面表现出色，特别适合于中高功率的应用，如电力传输、电动汽车、轨道交通、可再生能源系统以及工业电机控制等领域。

　　IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种结合了晶体三极管和MOS管技术的复合型半导体设备。这种设备因其高输入阻抗、低电压控制损耗、简单的控制电路、高耐压能力和大电流容量等特性，在众多电子电路领域中得到了广泛的应用。

　　尽管IGBT的电路符号尚未标准化，绘制原理图时通常采用类似三极管或MOS管的符号表示，但可以通过型号标注来区分IGBT和MOS管。此外，应注意检查IGBT是否包含体二极管。即便原理图上未标明，也通常应假定其存在，除非官方资料明确指出其缺失。

　　IGBT中的体二极管并非是一个寄生元件，而是专门设计的用以保护IGBT免受反向电压损害的部件，常被称为FWD（Free Wheeling Diode，续流二极管）。判断IGBT内部是否存在体二极管的方法相对简单：使用万用表测量IGBT的集电极（C）和发射极（E）。如果测得的电阻值无穷大，则表明该IGBT不包含体二极管。

 

　　IGBT的核心结构包括一个MOSFET和一个BJT。MOSFET作为输入级，用于控制BJT的开关；而BJT作为输出级，负责承载高电流和高电压。IGBT的栅极（Gate）通过一层薄氧化物与源极（Source）相隔，类似于MOSFET的结构，这使得IGBT具有很高的输入阻抗。当正向电压施加到栅极和发射极（相当于MOSFET的源极）之间时，MOSFET部分导通，进而触发BJT部分导通，使整个IGBT进入导通状态。当栅极电压移除或反向时，IGBT截止。

　　总之，IGBT作为一种高效的电力电子器件，以其独特的优势在许多要求严苛的应用中发挥着关键作用，特别是在需要处理高电压和大电流的场景中。