纳瑞科技多项IC失效分析新技术工艺将亮相IIC China 2013

　　致力于提供IC失效分析服务的纳瑞科技，将在IIC China 2013上展示：针对90纳米线宽以下多层铜布线芯片的修改工艺，针对模拟信号IC芯片的低阻值连接和针对长距离连线的低阻值连接，新型气体源FIB切割加工服务等多项新技术工艺。 届时，纳瑞科技的资深FIB操作工程师和技术专家将为观众做现场演示与讲解。

　　针对90纳米线宽以下多层铜布线芯片的修改工艺

　　随着国内IC设计水平的提高，线宽在90nm以下的芯片已经趋于普遍。对FIB加工而言，这类芯片操作难度较大，主要体现在：1.金属层较多；2.金属线间距小，操作空间小，各层氧化层比较薄，各层都填加dummy metal。纳瑞科技经过技术改进，能够为28nm以上所有线宽的芯片进行修改，技术达到国内一流水平。

　　针对模拟IC的低阻值连接和针对长距离连线的低阻值连接

　　纳瑞科技的连线电阻最低可以达到业界一般水平的1/20；针对一些特殊情况，纳瑞还可以满足客户特别的阻值要求。

　　新型气体源FIB切割加工服务

　　纳瑞科技采用新型气体源，为客户提供特殊的样片加工服务，如切断Bongding线，纵切焊球截面等。

　　纳瑞科技（北京）有限公司（Ion Beam）成立于2006年，由在聚焦离子束（扫描离子显微镜）应用技术领域有多年经验的技术骨干创立而成。公司致力于为集成电路设计和制造工业，光电子工业，纳米材料研究领域提供一流的分析技术服务，尤其专注离子束应用技术在IC芯片修改以及失效分析领域的技术应用及拓展。公司为研究人员提供截面分析、二次电子像以及透射电镜样品制备，同时也为聚焦离子束系统的应用客户提供维修、系统安装、技术升级换代、系统耗材以及应用开发和培训服务，这些服务将为IC芯片设计工程师，IC制造工程师缩短设计、制造时间，提高产品成品率。

　　除纳瑞科技外，IIC China 2013 现场将汇集众多优质技术厂商，于今年2月28日，3月1-2日在深圳会展中心举行，欢迎广大工程师朋友们莅临参观、学习和交流。