攻克制硅技术难题 芯片制造成本大幅下降

一般来说制硅需要超过 2，000 华氏度（约 1，090 摄氏度）的高温，消耗的能源量非常之大，不过最近密歇根大学（University of Michigan）开发出了一种使用液态金属制硅的新技术，大大降低了制造过程中所需的温度及成本。通过将四氯化矽覆盖在液态镓电极上的方式，研究者们只需在仅仅华氏 180 度（约摄氏 82 度）的温度条件下便能制出纯硅晶体。

虽然目前研究者制出的晶体体积还非常小，但是理论上说，在换用其它金属或是改进了制造过程之后制出体积更大晶体的可能性还是存在的。如果最终研究获得突破的话，从商业角度看，芯片和太阳能电池的制造方法会变得更容易，成本也可能会变得更低，这对消费者来说无疑是好事一件啦。