新思科技提供FinFET技术的半导体设计综合解决方案

在过去五年多与行业领导者合作共同开发了对FinFET技术的支持加利福尼亚州山景城，2013年2月—亮点：

• 包括经过验证的实现与制造工具，以及用以设计FinFET器件的IP

• 被FinFET技术的早期采用者和主要晶圆代工厂投入到生产中

• 包括晶圆代工厂认证的嵌入式存储器和逻辑库IP

为芯片和电子系统加速创新提供软件、知识产权（IP）及服务的全球性领先供应商新思科技公司（Synopsys, Inc.， 纳斯达克股票市场代码：SNPS）日前宣布：即日起提供其基于FinFET技术的半导体设计综合解决方案。该解决方案包含了一系列DesignWare®嵌入式存储器和逻辑库IP，其Galaxy™实现平台中经芯片验证过的设计工具，以及晶圆代工厂认证的提取、仿真和建模工具。它还包含了多家晶圆厂用于开发FinFET工艺所需的TCAD和掩膜综合产品。各种FinFET器件的三维结构代表了晶体管制造领域内的一个重大转变，它影响了设计实现工具、制造工具及设计IP。通过与业界领先的晶圆代工厂、研究机构和早期采用者在工程领域长达五年的开发合作，Synopsys的FinFET解决方案为实现从平面到3D晶体管的成功过渡提供了各种经生产验证的技术。该全线解决方案为加速FinFET技术的部署提供了强大的EDA工具和IP基础，该技术可为半导体设计提供更低的功耗、更好的性能与更小的面积。

 “Synopsys持续地投入巨资来开发一个完整的解决方案，以推进包括FinFET在内的新工艺几何节点和器件的应用，” Synopsys高级副总裁兼设计实现业务部总经理Antun Domic说道。“Synopsys与FinFET生态系统中的合作伙伴，包括晶圆厂、早期采用者及研究机构等广泛合作，使我们能够提供业界顶级的技术，并且使市场认识到这种新型晶体管设计的所有潜在优势。”

 “随着我们开始提供新的14nm-XM工艺，我们已经加快了我们领先的发展路线，以提供一种为日益扩张的移动市场而优化的FinFET技术，” GLOBALFOUNDRIES高级副总裁兼首席技术官Gregg Bartlett说道。“与合作伙伴携手已经成为我们能够提供这种创新的FinFET解决方案的关键因素。我们很早就已经与Synopsys在多个领域内开展合作，包括FinFET器件的HSPICE建模。我们延续了我们的合作，以加快我们共同的客户对FinFET技术的采用。”

 
“我们与Synopsys在FinFET技术上的合作是保持我们半导体行业领先地位的关键，”三星电子有限公司负责系统LSI基础架构设计中心的高级副总裁Kyu-Myung Choi博士说道。“我们的晶圆代工厂和半导体设计专业知识与Synopsys多样化的EDA工具和IP开发经验相结合，使我们能够有效地应对与FinFET相关的挑战。我们将继续巩固这种强大的合作关系，以使FinFET技术收益最大化。”

 “很早以前，我们就成功地证明了使用FinFET 3D晶体管的功耗和性能优势，” 被广泛地视为FinFET技术先驱的加利福尼亚州立大学伯克利分校微电子学特聘教授Chenming Hu博士说道。“为了使这些演示成为现实，我们的团队与Synopsys 研发部门在包括器件仿真在内的多个领域内进行了紧密合作。我们将继续与Synopsys合作来推进FinFET部署的更多创新。”

Synopsys的具备FinFET能力的IP

通过与领先的晶圆代工厂超过五年的紧密合作，使Synopsys获得了设计方面的专业知识以及对IP架构的一种深刻理解。这种紧密的合作成就了关键客户对Synopsys基于FinFET 的DesignWare嵌入式存储器和逻辑库IP解决方案的成功部署。计划于2013年进行更多样化的IP开发。DesignWare嵌入式存储器和逻辑库IP被构建用于实现FinFET技术的全部优势，在性能、漏电特性、动态功耗和低电压运行等领域内提供出众的结果。

Synopsys面向FinFET工艺的设计工具

从平面到基于FinFET的3D晶体管的变迁是一项重大改变，它需要工具开发商、晶圆代工厂和早期采用者之间紧密的研发合作，以提供坚实的EDA工具基础。通过与FinFET生态系统合作伙伴多年的合作，Synopsys的解决方案加速了基于FinFET的设计的上市时间。该综合解决方案包括IC Compiler™物理设计、IC Validator物理验证、StarRC™寄生参数提取、SiliconSmart特征描述、用于FastSPICE仿真的CustomSim™和FineSim以及HSPICE®器件建模和电路仿真。

 

Synopsys面向FinFET工艺的制造工具

FinFET的小几何尺寸和3D性质使其需要新的方法来优化器件性能和漏电指标，并解决工艺变化带来的影响。器件的目标性能与漏电指标需要通过对鳍型几何结构、应力工程学及其它因素的优化得以实现。由随机掺杂的波动、线边缘粗糙度、布线感生应力及其它来源带来的工艺偏差，会共同对器件和电路性能产生影响。Synopsys已经与多家晶圆代工厂就Sentaurus™ TCAD和Proteus™掩膜综合产品进行合作，以解决以上问题。Sentaurus产品线使晶圆代工厂能够优化FinFET 工艺，和设计能够减轻工艺变化带来的影响、从而满足性能与漏电特性要求的器件。Proteus产品线为晶圆代工厂实现整个芯片的临近校正提供了综合的解决方案。