基于SiC Diode模块在焊接切割设备中的技术优势

 

焊接切割设备通常可以通过功率模块解决设计方案实现其高效、稳定的输出功率，从而帮助设备延长使用寿命和保持稳定性。

 

为了满足高效、稳定、耐用的焊接切割设备需求，MPRA1C65-S61 SiC Diode模块应运而生，这是一款基于碳化硅(SIC)技术的新型SIC DIODE模块。这篇文章将深入探讨SIC DIODE模块的技术优势，以及它在焊接切割设备中的应用和性能提升。

图1：MPRA1C65-S61碳化硅模块

 

MPRA1C65-S61 SiC Diode(碳化硅二极管)模块是基于碳化硅材料的半导体元件。相比传统的硅基二极管，碳化硅材料具有更高的击穿电压、更低的导通电阻和更快的开关速度。这些特性使SIC DIODE模块在高功率和高频率应用中表现尤为优异。

 

SIC DIODE模块的技术优势

 

MPRA1C65-S61 SiC Diode模块 650 V充分利用了基于浮思特改良型S61技术封装。这项技术采用先进的扩散焊工艺。这种封装技术的主要优点是大幅减小焊接层的厚度，其中，特定的金属合金结合可显著提高导热率。这一特性降低了器件的结-壳热阻(Rthj-case)和热阻抗(Zthj-case)。

图2：S61封装

 

此外，碳化硅材料的低导通电阻使得SIC DIODE模块在工作时产生的功耗更低，从而提高了能效。这对于长时间运行的焊接切割设备来说，能够显著降低能耗，减少设备运行成本。

 

SIC DIODE模块具备极快的开关速度，这对于需要高频操作的焊接和切割设备来说尤为重要。快速的开关速度不仅提高了设备的响应时间，还能提升加工精度和质量，满足更高标准的制造需求。

 

MPRA1C65-S61模块在焊接切割设备中的技术特点

 

浮思特650V/100A SiC Diode module产品MPRA1C65-S61采用了沟槽栅场终止结构和特殊工艺控制，优化了VCE(on)和Eoff参数，提升了产品的可靠性。

 

MPRA1C65-S61具有较小的寄生电容，这保证了器件有更高的开关速度。

 

较小的器件关断损耗和通态损耗，搭配正向压降较低的续流二极管，显著减小了器件的总损耗。开关损耗的减小可间接提高开关频率。

图3：快速参考数据

此外，较低的Qg 有助于降低对栅极驱动的功率能力的要求，驱动更容易。

 

IGBT器件总损耗的减小，可在大功率输出工况下大大提升逆变焊机的工作效率，显著降低正常工作时器件的温升。

 

更高的器件开关频率也会显著提升逆变焊机在实际应用中的控制精度。

 

浮思特科技的MPRA1C65-S61拥有优异器件性能，为焊接切割设备的系统顺利通过温升、输出短路等测试提供了保障。

 

结语

 

MPRA1C65-S61模块的推出，凭借其卓越的高击穿电压、低导通电阻、快速开关速度和高温稳定性，SIC DIODE模块在各种苛刻环境下表现出色，为工业制造带来了显著的技术优势。