英特尔再绘新版图，3D NAND指日可待

　　电子发烧友网讯：IM Flash 技术有限责任公司是英特尔与美光科技的合资公司，日前，该公司表示目前正在策划如何及何时将3D技术用于NAND闪存ICs制造中。

　　在5月23日的IMEC技术论坛上，英特尔技术制造副总裁兼IMFT联席CEO Keyvan Esfarjani 透露了一些对3D NAND的看法。目前的非易失性NAND的Cell单元还是2D排列的，新的3D堆栈NAND将以GAA（Gate All Around）的结构形式将传统的2D Cell单元垂直排列起来。

　　目前东芝在3D NAND闪存上的研究处于领先地位，在过去的几年东芝展开了多次学术会议。去年年底他们宣布了基于一个50nm宽的垂直通道上集成的16层NAND单元，今年开始出样，2015年投入量产，东芝的p-BiCS技术将晶体管以U形排列。

　　Esfarjani表示，2D NAND Flash目前仍然存在比例限制，在他播放的幻灯片中，其中有一页指出2D NAND闪存可以扩展到两个节点在15nm和10nm，而且3D堆栈工艺很可能产生于15nm节点，此外，Esfarjani还指出，目前16层的3D NAND在成本上还不能显示出成本优势，需要64层堆栈，至少也要达到32层的水平才行。

　　IMFT在20nm工艺节点使用了浮栅高K金属栅极Cell结构（floating-gate high-K metal gate）取代了34nm及25nm工艺使用的环绕式Cell结构（wrap-around），2012年时IMFT就展示过了128Gbit容量的 NAND闪存，美光的M500SSD固态硬盘使用的就是128Gbit 的NAND。

英特尔技术制造副总裁兼IMFT联席CEO：Keyvan Esfarjani

　　Esfarjani还指出，“过渡到3D不局限于光刻技术，40纳米直径半导体通道也可以实现，主要的问题在于计量和寻找能够承受多层半导体处理温度和能够在垂直通道中实现高纵横比刻蚀的材料，而且必须要控制在一个精准的89.8锥度。”

　　Esfarjani最后指出，“NAND市场将一直存在且持续增长，2D NAND将持续浮栅工艺，3D则将带领我们超越10纳米的限制。”

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