英国为恩智浦提供200万英镑氮化镓发展资金

　　英国财政部秘书长丹尼历山大宣布为恩智浦（NXP）英国分公司提供200万英镑，以促进氮化镓（GaN）器件的发展。该资金来源于政府区域增长资金（RGF），将带动超过750万英镑的私营投资；保障斯托克波特超过400个的现存职位，以及创建100个新职位，并牢牢确立英国作为NXP公司世界研究中心的地位。

　　GaN器件比传统硅器件高效，因此很可能成为功率电子行业和未来电子市场的重要资源。最终，GaN将在功率电子系统领域替代传统硅器件，如用于汽车系统、移动手机、通信架构以及云计算中。

　　授予NXP的资金是第三轮RGF的一部分，将用于招聘额外的研发人员、研制原型模块、走访咨询英国著名学者和提供研发阶段的设备等。它将支持NXP公司在曼彻斯特工厂、当地企业和供应商中建立功率半导体先进中心的投资。