安建半导体在ISPSD2024再展技术锋芒

在近日结束的ISPSD2024征稿评比中，安建半导体凭借其在碳化硅领域的卓越技术实力，成功脱颖而出，荣获口头报告机会。此次评比中，口头报告的录取率仅为12.4%，竞争激烈，但安建半导体凭借独立研发的成果，再次证明了其技术和创新能力。

第36届功率半导体器件和集成电路国际研讨会于2024年6月2日至6日在德国不来梅盛大举行。安建半导体研发经理刘永博士受邀出席此次盛会，并发表关于1200V级SiC器件技术突破的口头报告。这一报告不仅展示了安建半导体在碳化硅器件领域的最新研究成果，也彰显了其作为行业领军者的技术实力。

自成立以来，安建半导体一直致力于碳化硅产品的技术创新与研发。公司建立了完整的器件设计、测试、可靠性验证管理系统，为产品的质量和性能提供了坚实的保障。此次在国际研讨会上的亮相，再次证明了安建半导体在碳化硅领域的技术领先地位。

未来，安建半导体将继续秉持创新精神，深耕碳化硅领域，为全球客户提供更优质的产品和服务，推动功率半导体行业的持续发展。