FinFET改变战局:台积将组大联盟抗三星Intel

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   晶圆代工厂迈入高投资与技术门槛的鳍式场效电晶体(FinFET)制程世代后,与整合元件制造商(IDM)的竞争将更为激烈,因此台积电正积极筹组大联盟(Grand Alliance),串连矽智财(IP)、半导体设备/材料,以及电子设计自动化(EDA)供应商等合作夥伴的力量,强化在FinFET市场的竞争力。

  台积电董事长暨总执行长张忠谋提到,今年台积电虽屡创季营收新高,但第四季因客户调整库存可能出现微幅下滑的情形。

  台积电董事长暨总执行长张忠谋表示,台积电在20奈米(nm)市场仍未看到具威胁性的对手,可望延续制程领先脚步,目前已开始安装设备,明年第一季将如期量产。然而,他也坦言,随着一线晶圆厂纷纷于2015年进入14或16奈米FinFET制程后,台积电确实将面临更大的竞争压力,特别是来自三星、英特尔等IDM大厂的威胁力道最剧,必须提早发动因应策略。

  事实上,FinFET技术更复杂、投资金额也更巨大,晶圆代工厂很难再以孤军奋战的策略进行研发,因此台积电正如火如荼组织产业同盟,目前已与益华电脑(Cadence)、明导国际(Mentor Graphics)等EDA工具商,以及安谋国际(ARM)和Imagination等IP业者达成共识,未来将共同在台积电开放创新平台(OIP)上挹注创新技术能量,加速优化16奈米FinFET制程。张忠谋认为,产业大联盟重要性在于相互融合不同厂商的长处,以研制最出色的制程解决方案,这将是台积电与IDM较劲最关键的优势。

  除联合异业夥伴共同出击外,张忠谋也透露,台积电在今明两年都将以95~100亿美元的高额资本支出,不断扩充FinFET研发团队和产能,现已与大客户展开合作,抢先掌握许多16奈米FinFET设计定案(Tape Out)。

  此外,台积电也紧锣密鼓投入再下一代的10奈米FinFET制程布局,避免在任何新技术节点的发展被对手超前。据悉,该公司与艾司摩尔(ASML)共同投入研发次世代极紫外光(EUV)微影技术,已逐步进入收割阶段,可望在2017年正式用于10奈米晶圆,大幅提高吞吐量与生产效率。

  张忠谋强调,在FinFET时代,台积电以晶圆代工厂的定位与IDM角逐市场还算有竞争力,但比较辛苦;若以产业大联盟的方式将非常有竞争力,有信心能提供更完整的制程服务和更高品质的晶片。

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