美高森美为工业应用推出了新一代大功率、高性能650V NPT IGBT

　　美高森美公司（MicrosemiCorporation）宣布提供下一代650V非穿通型（non-punchthrough，NPT）绝缘栅双极晶体管（insulatedbipolargatetransistors，IGBT）产品，备有45A、70A和95A额定电流型款。美高森美全新NPTIGBT产品系列专为严苛环境工作而设计，尤其适用于太阳能逆变器、焊接机和开关电源等工业产品。

　　美高森美新的功率器件通过提供业界最佳的损耗性能来改进效率，与最接近竞争厂商的IGBT产品相比，效率提高了大约8%。新的NPTIGBT器件还能够实现高达150kHz的极高开关速率，在与美高森美的碳化硅（siliconcarbide，SiC）续流二极管（free-wheelingdiode）配对使用时，开关速率可以获得进一步提高。针对最高150KHz的较低速率应用，这些领先的650VNPTIGBT通过替代成本更高的600V至650VMOSFET器件，可让开发人员降低总体系统成本。

　　下一代650V产品系列中的所有器件都基于美高森美先进的PowerMOS8™技术，并且采用了最先进的晶圆薄化（waferthinning）工艺。与竞争解决方案相比，显着降低了总体开关损耗，并且可让器件在难以置信的快速开关频率下工作。利用公司在大功率、高可靠性市场的丰富传统，美高森美期望扩大IGBT市场份额，根据YoleDéveloppement最新报告，这个市场正从现今的36亿美元增长到2018年的60亿美元。

　　这些NPTIGBT器件易于并联（Vcesat正温度系数），可以提升大电流模块的可靠性。它们还具有额定短路耐受时间（shortcircuitwithstandtimerated，SCWT），可以在严苛的工业环境中可靠运作。

　　新的IGBT器件备有各种封装，包括TO-247、T-MAX和模块。