LED驱动
MB39C601是反激式开关调节控制器IC。它根据LED负载来控制开关导通时间或控制开关频率,从而实现对LED电流的调节。它非常适合用于常规照明应用,如商铺和住宅照明灯泡等。MB39C601 是反激式开关调节控制器。它根据 LED 负载来控制开关导通时间或控制开关频率,从而实现对 LED 电流的调节。
一、MB39C601:恒流AC-DC LED驱动器快速入门指南
MB39C601是一款恒流AC-DC LED驱动器,驱动功率5W~25W,支持世界范围85V~265V AC电压输入。该芯片支持可控硅调光,并带主动PFC,具有高效率、高PF值、低EMI等特点。适用于室内LED照明,如LED灯泡,LED灯管,PAR 灯,吸顶灯等。
特性:
适用于LED照明应用
支持可控硅TRIAC调光
率因数>0.9
高效率>85%
频率设计:
30kHz至130kHz(取决于FB引脚电流)
适用于宽LED照明应用的输入电压:
85VAC至265VAC
通过检测变压器零功率来实现高效率和低EMI
内置各种保护功能:
欠压锁闭( U V L O ) , 过载保护( O L P ) , 过压保护 (OVP),过温保护(OTP)
封装:
SOP-8
3.9mm×5.05mm×1.75mm (引脚间距1.27mm)
应用:
采用TRIAC调光器的LED照明
AC至DC转换
二、MB39C601:恒流AC-DC LED驱动器重点特性介绍
产品描述
MB39C601是反激式开关调节控制器IC。它根据LED负载来控制开关导通时间或控制开关频率,从而实现对LED电流的调节。它非常适合用于常规照明应用,如商铺和住宅照明灯泡等。
特点
• 单次转换提供高功率因数
• 轻载且在开关频率控制方式下的低功耗模式时间歇动作,具有高效率
• 根据 FB 引脚电流进行频率设置:30 kHz 到 130 kHz
• 无需额外采样电阻即可控制初级绕组的电流
• 通过连接 TRIAC 相位检测器实现 TRIAC 可调光 LED 照明
• 通过检测变压器零能量,实现高效率并降低 EMI
• 内置低电压锁止功能
• 内置过载保护功能
• 内置输出过电压保护功能
• 内置过温保护功能
• 输入电压范围 VDD :9 V 到 20 V
• LED 照明应用的输入电压范围:AC110 VRMS, AC230 VRMS
• 封装:SOP-8(3.9 毫米 × 5.05 毫米 × 1.75 毫米 [ 最大])
应用
LED 照明
TRIAC 可调光 LED 照明等
引脚分配
功能说明
(1) LED 电流控制功能
MB39C601 是反激式开关调节控制器。它根据 LED 负载来控制开关导通时间或控制开关频率,从而实现对 LED 电流的调节。与 LED 串联的感应电阻 (Rs) 将 LED 电流转换为检测电压 (Vs)。外部误差放大器 (Err AMP) 对 Vs 进行比较。当 Vs 降低到参考电压以下时,Err AMP 输出上升,进入光电耦合器的电流减小。导通时间控制方式,由光耦控制OTM 引脚的电流从而对导通时间控制模块控制。当OTM 引脚电流减小时导通时间增加。提供给LED 的电流同时被调节,因为导通时间控制通常在固定开关频率下使用。
频率控制方式,由光耦控制FB 引脚电流从而对开关频率控制模块控制。当FB 引脚电流减小时开关频率增加。提供给LED的电流同时被调节,因为开关频率控制通常在固定导通时间下使用。
(2) 级联开关
初级绕组中的开关采用级联连接。外部 MOSFET 的栅极与 VCG 引脚连接,源极与内部驱动器 MOSFET 的漏极连接。开关处于导通状态时,内部驱动器 MOSFET 开启,内部 HS 驱动器 MOSFET 关闭,外部 MOSFET 的源极电压下降至 GND。在该过程中,直流偏置通过VCG 引脚对外部MOSFET 栅极供能,而使外部MOSFET 开启。开关处于关闭状态时,内部驱动器 MOSFET 关闭,HS 驱动器 MOSFET 开启,外部 MOSFET 的源极电压上升至 VCG 电压。外部 MOSFET 关闭。此外,进入内部驱动器 MOSFET 的电流等于初级绕组的电流。因此,可以在不使用采样电阻的情况下对进入初级绕组的峰值电流进行检测。
(3) 固有功率因数自调节(Power Factor Control)功能在交流电压输入中,当使输入电流波形接近正弦波,并使相位差接近零时,功率因数会得到改善。当在不连续传导模式下采用反激方式工作时,如果将输入电容设置得比较小,则初级绕组的峰值电流 :
在导通时间控制中,如果将误差放大器的环路响应设置为低于交流频率(交流频率的 1/10),则可以使导通时间保持不变。因此,输入电流与输入电压成正比,从而使功率因数得到调节。
(4) 上电过程
当电压输入 VBULK 时,电荷通过启动电阻 (Rst) 充入 VCG 引脚的电容 (CVCG)。因此,VCG 引脚的电压会上升。当 VCG引脚电压达到外部 HVMOSFET 的阈值电压时,源极跟随器使 DRN 引脚电压上升。
DRN 引脚通过内部 VDD 开关与 VDD 引脚连接,VDD 电容 (CVDD) 从该 DRN 引脚充电。当 VDD 引脚电压达到 UVLO阈值电压时,VDD 开关关闭,内部偏置电路工作,开关启动。
开关启动后,VDD 电压由辅助绕组通过外部二极管(DBIAS)提供。辅助绕组与次级绕组的绕线圈数之比以及次级绕组的电压决定了辅助绕组的电压。因此,只有在辅助绕组的电压上升至高于 VDD 引脚电压时,才会提供 VDD 引脚电压。必须设置 VDD 引脚的电容,以防止在此期间 VDD 引脚电压下降到 UVLO 阈值电压以下。DRN 引脚和 VDD 引脚之间需要一个外部肖特基二极管 (D1)。该二极管用于防止电流经过 VDD 开关的体二极管。
(5) 掉电过程
从交流线路移除交流电源时,即使有开关动作,电流也不会流到次级绕组。LED 电流从输出电容提供,并逐渐减小。与此相似,由于电流不会流到辅助绕组中,因此 VDD 引脚电压会下降。当 VDD 引脚电压下降到 UVLO 阈值电压以下时,开关停止,MB39C601 关闭。
(6) OTM 部分
通过将电阻 (ROTM) 与 OTM 引脚连接,为其设置导通时间。如下图所示,从 OTM 通过电阻连接光电耦合器的集电极,可以控制导通时间。
(7) FB 部分
通过设置 FB 引脚的电流,控制开关频率。在导通时间控制中,通过电阻将 FB 引脚上拉到 VDD,从而设置开关频率。此外,如下图所示,可以通过电阻从 FB 引脚连接光电耦合器的发射极,从而控制开关频率。电阻 (RFB) 为光电耦合器的暗电流泄放电路。
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