NAND flash测试-雷龙发展

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文章目录

一、简介

二、速度测试

最近比较忙,也一直没空发什么文章,这算是新年第一篇吧,正好最近收到了一个雷龙的flash芯片,先拿来玩一下吧。

有兴趣的小伙伴可以去雷龙官网找小姐姐领取一个免费试用。

一、简介

Nand flash

大概样子就是上面这样,使用LGA-8封装,实际上驱动也是通用SD卡的驱动,相比与SD卡可以直接贴片到嵌入式设备中,并且体积更小,数据存储和SD卡存储一样。

我使用的型号是CSNP1GCR01-AOW,

不用写驱动程序自带坏块管理的NAND Flash(贴片式TF卡),

尺寸小巧,简单易用,兼容性强,稳定可靠,

固件可定制,LGA-8封装,标准SDIO接口,

兼容SPI/SD接口,兼容各大MCU平台,

可替代普通TF卡/SD卡,

尺寸6x8mm毫米,

内置SLC晶圆擦写寿命10万次,

通过1万次随机掉电测试耐高低温,

支持工业级温度-40°~+85°,

机贴手贴都非常方便,

速度级别Class10(读取速度23.5MB/S写入速度12.3MB/S)

标准的SD 2.0协议使得用户可以直接移植标准驱动代码,省去了驱动代码编程环节。

支持TF卡启动的SOC都可以用SD NAND

,提供STM32参考例程及原厂技术支持,

主流容量:128MB/512MB/4GB/8GB,

比TF卡稳定,比eMMC便宜,

样品免费试用。

实际应用场景

新一代SD NAND主要应用领域

•5G

•机器人

•智能音箱

•智能面板(HMI)

•移动支付

•智能眼镜(AR)

•智能家居

•医疗设备

•轨道交通

•人脸识别

•3D打印机

二、速度测试

手里正好还有一张内存卡,那么就做下对比测试:

先理解下下面这四种测试的含义:

SEQ1M|Q8T1表示顺序读写,位深1024K,1线程8队列的测试速度

SEQ1M|Q1T1表示顺序读写,位深1024K,1线程1队列测试速度

RND4K|Q32T16表示随机读写,位深10244K,16线程32队列的测试速度

RND4K|Q1T1表示随机读写,位深10244K,一线程一队列的测试速度

那么由于CSNP1GCR01-AOW是512M的,那么就统一使用256M的随机读写来测试

CSNP1GCR01-AOW读写速度:

Nand flash

------------------------------------------------------------------------------

CrystalDiskMark 8.0.4 x64 (C) 2007-2021 hiyohiyo

Crystal Dew World: https://crystalmark.info/

------------------------------------------------------------------------------

* MB/s = 1,000,000 bytes/s [SATA/600 = 600,000,000 bytes/s]

* KB = 1000 bytes, KiB = 1024 bytes

[Read]

SEQ    1MiB (Q=  8, T= 1):    18.242 MB/s [     17.4 IOPS] <437121.30 us>

SEQ    1MiB (Q=  1, T= 1):    18.409 MB/s [     17.6 IOPS] < 56695.70 us>

RND    4KiB (Q= 32, T= 1):     4.807 MB/s [   1173.6 IOPS] < 27159.12 us>

RND    4KiB (Q=  1, T= 1):     4.215 MB/s [   1029.1 IOPS] <   968.89 us>

[Write]

SEQ    1MiB (Q=  8, T= 1):     7.326 MB/s [      7.0 IOPS] <1026141.24 us>

SEQ    1MiB (Q=  1, T= 1):     7.549 MB/s [      7.2 IOPS] <138263.48 us>

RND    4KiB (Q= 32, T= 1):     2.453 MB/s [    598.9 IOPS] < 52662.34 us>

RND    4KiB (Q=  1, T= 1):     2.029 MB/s [    495.4 IOPS] <  1987.79 us>

Profile: Default

Test: 256 MiB (x5) [F: 0% (0/481MiB)]

Mode: [Admin]

Time: Measure 5 sec / Interval 5 sec 

Date: 2024/01/15 11:35:30

OS: Windows 10 Professional [10.0 Build 19044] (x64)

内存卡读写速度:

Nand flash

------------------------------------------------------------------------------

CrystalDiskMark 8.0.4 x64 (C) 2007-2021 hiyohiyo

Crystal Dew World: https://crystalmark.info/

------------------------------------------------------------------------------

* MB/s = 1,000,000 bytes/s [SATA/600 = 600,000,000 bytes/s]

* KB = 1000 bytes, KiB = 1024 bytes

[Read]

SEQ    1MiB (Q=  8, T= 1):    17.579 MB/s [     16.8 IOPS] <454375.89 us>

SEQ    1MiB (Q=  1, T= 1):    18.236 MB/s [     17.4 IOPS] < 57188.36 us>

RND    4KiB (Q= 32, T= 1):     5.105 MB/s [   1246.3 IOPS] < 25574.24 us>

RND    4KiB (Q=  1, T= 1):     4.622 MB/s [   1128.4 IOPS] <   884.01 us>

[Write]

SEQ    1MiB (Q=  8, T= 1):     1.676 MB/s [      1.6 IOPS] <3669329.62 us>

SEQ    1MiB (Q=  1, T= 1):     7.962 MB/s [      7.6 IOPS] <130440.09 us>

RND    4KiB (Q= 32, T= 1):     0.018 MB/s [      4.4 IOPS] <2106948.05 us>

RND    4KiB (Q=  1, T= 1):     0.015 MB/s [      3.7 IOPS] <251984.23 us>

Profile: Default

Test: 256 MiB (x5) [F: 0% (0/953MiB)]

Mode: [Admin]

Time: Measure 5 sec / Interval 5 sec 

Date: 2024/01/15 11:53:09

OS: Windows 10 Professional [10.0 Build 19044] (x64)

审核编辑 黄宇

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