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全新40V STripFET F8 MOSFET,性能先进且EMI极低
具有出色的本体二极管恢复软度,可确保您的高性能解决方案符合相关要求。
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MDmeshM9系列具有非凡开关性能
该款超结MOSFET采用TO247-4引线封装以及额外的驱动Kelvin引脚,能够进一步降低开关损耗。
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超快速650V PowerGaN G-HEMT晶体管
采用体积更小的无源元件和更为紧凑的设计,适用于效率更高的消费类和工业电源。
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全新40A,1200V晶闸管采用表面贴装式D2PAK封装
具有更高的电压抗扰度和浪涌电流等级,适用于面向汽车和电源应用的紧凑型浪涌电流限制。
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全新ACEPACK SMIT模块,集成了汽车级半桥结构IGBT
安装简便且具有出色的电气和热效率,使OBC系统更加紧凑和可靠。
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