厂商积极开拓应用市场,搭建USB 3.0大势所趋!

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  第三代通用串行总线(USB 3.0)渗透率将显着提升。先前USB 3.0在NAND闪存(Flash)产能未能配合的情况下,迟迟未能于储存应用领域大展身手;不过,今年USB 3.0已迅速拓展至电视、车载资通讯系统与行动设备等影音传输应用市场,可望提升市场渗透率。


円星科技副总经理张原熏指出,该公司的USB 3.0实体层IP整合高速混合信号电路,支援5Gbit/s传输率,并向下相容USB 2.0与USB 1.1。

  円星科技副总经理张原熏表示,尽管USB 3.0接口在数据传输率的效能优势大幅胜过前一代标准,但由于2013年大多数读写速度在200MB/s以上的NAND闪存多被用在智能手机的内嵌式存储器(eMMC),因此在存储器供应商有限、产能受挤压的情况下,USB 3.0即使应用于储存产品,也难与合适的闪存搭配,导致无法彰显终端产品差异化优势,并削弱储存产品开发商采用USB 3.0接口的意愿。

  有鉴于此,USB 3.0芯片商已积极开拓储存应用之外的市场,盼能于其他领域大展鸿图。张原熏指出,由于USB 3.0同时具备高传输率与供电两大优势,因此已迅速成为第二代高解析度多媒体接口(HDMI 2.0)在电视等影音应用市场的强劲对手。

  据了解,联发科/晨星的超高画质(UHD)电视主芯片已提供USB 3.0的接口支援,而未来中国大陆主要品牌厂商的电视也多将搭载至少一个USB 3.0接口,做为无线局域网路(Wi-Fi)或UltraGig Dongle插孔,从而实现与手机/平板等行动设备间无线传输高画质(HD)影音的应用情境。

  不仅如此,随着主要应用处理器厂商高通(Qualcomm)、辉达(NVIDIA)、博通(Broadcom)等纷纷推出支援USB 3.0规格的新一代处理器,智能手机与平板电脑搭载USB 3.0接口,亦已是大势所趋。

  看好各式影音应用系统将大量导入USB 3.0芯片,円星科技积极投入USB 3.0实体层(PHY)硅智财(IP)开发,并已于日前成功通过台积电硅智财验证中心的测试。

  张原熏强调,円星科技的USB 3.0实体层硅智财具备低芯片占位面积(仅竞争对手70%)、最低至50毫安培(mA)的耗电以及高可靠度等多重优势,更重要的是,已全面适用于110纳米(nm)、55纳米、40纳米和28纳米等製程技术,可视特定应用集成电路(ASIC)客户的应用需求,提供能够最快速完成芯片整合设计的硅智财选项。

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