IR推出高性能600V超高速沟道IGBT IR66xx系列

　　全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 推出高性能600V超高速沟道场截止绝缘栅双极晶体管 （IGBT） IR66xx系列。坚固可靠的新系列器件提供极低的导通损耗和开关损耗，旨在为焊接应用做出优化。

　　新器件采用沟道纤薄晶圆技术把导通损耗和开关损耗降到最低，并与软恢复低Qrr二极管一起封装。这些600V IGBT通过5µs短路额定值来提供从8KHz到30KHz的超高速开关，还具备有助于并联的低Vce（on） 和正温度系数。

　　IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR66xx系列把导通损耗和开关损耗降到最低，能够为希望优化焊接应用性能的设计师提供坚固可靠的解决方案。”

　　全新IGBT IR66xx系列还具有高开关频率、最高达175°C的工作结温和低电磁干扰的特点，有效提升可靠性和系统效率，并且提供稳固的瞬态性能。

　　产品现正接受批量订单。新器件符合电子产品有害物质管制规定 （RoHS） 的所有要求 。相关数据和IGBT产品在线选型工具现已供应。

　　IR简介

　　国际整流器公司 （简称 IR，纽约证交所代号 IRF） 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 （电机是全球最大耗能设备） ，是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。

　　IR 成立于 1947 年，总部设在美国洛杉矶，在二十个国家设有办事处。