14nm FinFET的决斗，IBM死磕英特尔

　　当今，英特尔在FinFET制程上仍属于佼佼者，其他半导体厂商正尝试开发3D FinFET与英特尔抗衡。IBM同样在FinFET制程上表现突出，这也是英特尔的主要竞争对手。

　　IBM有可能在今年底宣布开始投入14nm制程，得益于三星全球工厂的FinFET技术。

　　IBM还会透露其高密度的存储器、可扩展的功率分配以及600平方厘米的SoC。但是现在不确定的是这些技术是否依赖于三星。

　　从另一个角度来说，这一波竞争会直接给英特尔和IBM的客户带来利益。英特尔正努力开发其最新的FinFET设计，而IBM的两大FinFET技术选择可能更容易吸引用户。

　　显然，英特尔与IBM最大的战略区别是：英特尔还是一贯性的使用传统块状硅来支持其努力FinFET设计，这也可以使其在2-4年内在竞争对手中保持领先。从2011年开始，英特尔已经在22nm Ivy Bridge技术和Haswell微架构处理器中使用FinFET制程。最近英特尔还宣布其成功移植FinFET技术到14nm Broadwell微架构，这是最新的Core M处理器系列的核心。。

　　然而，IBM使用更昂贵的SOI基板来进行开发，这样可以简化制造过程，而且可以实现芯片的低功耗性能。

　　有消息称，英特尔还将揭秘其加工“秘方”，包括参杂技术。

　　IBM另辟蹊径

　　IBM将正式公布利用SOI制造14nm FinFET的方法，并且此款14nm FinFET比22nm的处理速度快25%。

　　与此同时，IBM也会展示全球最小、最密集的DRAM单元，仅仅只有0.0174平方厘米大小。IBM还拥有独有的制程，可同时实现低功耗和高速运行功能。该公司还会在此次竞争中大肆炫耀其15级铜互连技术来促进功率分配，这些都会成为IBM与英特尔之争的有力因素。

　　此次PK，英特尔被称以第二代14nm FinFET晶体管作为代表，IBM则以高性能14nm SOI FinFET CMOS技术作为筹码。