Nexperia斥资2亿美元,布局未来宽禁带半导体产业

　　在全球电气化和数字化浪潮不断加速的今天，半导体技术作为其核心驱动力，正迎来前所未有的发展机遇。近日，全球知名半导体制造商Nexperia（安世半导体）宣布，将斥资2亿美元（约合1.84亿欧元）用于下一代宽禁带半导体（WBG）的研发和生产，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等高性能材料，进一步巩固其作为全球节能半导体领导者的地位。

　　此项重大投资正值Nexperia位于德国汉堡的晶圆厂成立100周年之际，具有里程碑意义。该晶圆厂自1924年Valvo Radioröhrenfabrik创立以来，经过不断的技术革新和产业升级，如今已成为全球小信号二极管和晶体管的重要生产基地，为全球约四分之一的需求提供支持。

　　随着能源效率日益成为全球关注的焦点，宽禁带半导体技术的应用显得尤为重要。SiC和GaN作为其中的佼佼者，以其优异的性能在数据中心、可再生能源和电动汽车等领域展现出巨大的潜力。Nexperia此次投资，正是为了抓住这一历史机遇，通过研发和生产高性能的宽禁带半导体产品，为全球客户提供更高效、更环保的解决方案。

　　Nexperia德国首席运营官兼常务董事Achim Kempe表示：“这项投资不仅将巩固我们在节能半导体领域的领先地位，还将使我们能够更负责任地利用电能。未来，我们的汉堡晶圆厂将全面覆盖宽禁带半导体产品线，继续为全球客户提供高质量、具有成本效益的半导体产品。”

　　为了实现这一目标，Nexperia计划从2024年6月开始，在德国汉堡工厂正式开展SiC、GaN和Si三种技术的研发和生产工作。首条高压D-Mode GaN晶体管和SiC二极管生产线已于今年6月投入使用，标志着Nexperia在宽禁带半导体领域迈出了坚实的一步。

　　除了生产线的建设外，Nexperia还将加大对汉堡工厂基础设施的自动化投入，并通过逐步转向使用200毫米晶圆来扩大硅的产能。同时，新的研发实验室也在建设中，以确保从研究到生产的无缝过渡。

　　值得一提的是，Nexperia此次投资还将对当地经济产生积极影响。通过保障和创造就业机会、增强欧盟半导体自给自足的能力等方式，为当地经济发展注入新的活力。同时，Nexperia还与大学和研究机构保持密切合作，共同推动高素质的员工培训和技术创新。

　　Nexperia德国首席财务官兼常务董事Stefan Tilger表示：“作为全球少数几家能够提供全线半导体技术产品系列的供应商之一，Nexperia致力于为客户提供一站式服务，满足他们所有的半导体需求。此次投资将使我们能够在汉堡开展宽禁带芯片的设计和生产工作，进一步巩固我们在全球半导体市场的领先地位。”

　　展望未来，Nexperia将继续秉承创新、高效、环保的理念，为全球客户提供更优质的半导体产品和服务，助力实现能源高效利用和减排目标。