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基于PI的角度分析电源噪声测试中可能遇到的问题和相应的解决方法
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2015-01-13
张瑾
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当今的计算机、PAD、手机、通信系统设备等电子产品，处理速度越来越快，运算能力越来越强，其电源的设计也越来越复杂。进入21世纪后，芯片的制作工艺由0.18um逐步升级到了95nm、65nm、45nm，晶体管的集成度更高、主频更高、供电电压更低，这给产品的电路设计与调试带来了更大的挑战。在90年代，芯片的供电通常是5V和3.3V，使用CMOS或TTL电平，而现在，很多数字电路芯片的核心电压以及IO电平都小于3.3V，以最常用的内存芯片为例，最古老的SDR SDRAM供电电压为3.3V，DDR SDRAM为2.5V，DDR2为1.8V，DDR3为1.5V，而最新的DDR4的供电电压为1.2V，其VREF只有0.6V。这些电路的供电电压越来越小，对电源噪声的要求也更加严格，如何设计低噪声的电源、并且准确测量其电源噪声非常关键，本文将从电源完整性（Power Integrity，简称PI）的角度，简要分析电源噪声测试中可能遇到的问题和相应的解决方法。
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