Vishay威世新型第三代1200 V SiC 肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性

新型碳化硅 (SiC) 肖特基二极管

器件采用 MPS 结构设计，额定电流 5 A ~ 40 A

低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低

Vishay 推出 16 款新型第三代 1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors 器件采用混合 PIN  肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。 日前发布的新一代 SiC 二极管包括 5 A 至 40 A 器件，采用 TO-220AC 2L、TO-247AD 2L 和 TO-247AD 3L 插件封装和 D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。由于采用 MPS 结构——利用激光退火背面减薄技术——二极管电容电荷低至 28 nC，正向压降减小为 1.35 V。此外，器件 25 °C 下典型反向漏电流仅为 2.5 µA，因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。

碳化硅二极管典型应用包括 FBPS 和 LLC 转换器 AC/DC 功率因数校正（PFC）和 DC/DC 超高频输出整流，适用于光伏逆变器、储能系统、工业驱动器和工具、数据中心等。这些严苛的应用环境中，器件工作温度可达 + 175 °C，正向额定浪涌电流保护能力高达 260 A。此外，D2PAK 2L 封装二极管采用高 CTI ≥ 600 的塑封料，确保电压升高时优异的绝缘性能。 器件具有高可靠性，符合 RoHS 标准，无卤素，通过 2000 小时高温反偏（HTRB）测试和 2000 次热循环温度循环测试。

器件规格表

Vishay 16 款新型第三代 1200 V 

碳化硅（ SiC ）肖特基二极管

新型 SiC 二极管现可提供样品并已实现量产，供货周期为 13 周。