三星电子否认HBM3e芯片通过英伟达测试

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  韩国新闻源NewDaily近日发布了一则报道,声称三星电子的HBM3e芯片已成功通过英伟达的产品测试,预示着即将开启大规模生产并向英伟达供货的序幕。然而,三星电子方面迅速对此消息进行了否认,表示并未收到官方确认。

  回顾今年早些时候,英伟达CEO黄仁勋在3月份公开表示,公司正着手验证三星提供的HBM内存芯片,这一举措曾引发业界广泛关注。此前,市场间流传的三星HBM3E内存因散热和功耗问题未获英伟达测试通过的消息,也在5月被三星电子通过官方声明明确否认,强调其正与全球多家合作伙伴顺利推进HBM芯片的测试流程,并致力于保障产品的质量与可靠性。

  据NewDaily最新报道,三星电子似乎已收到英伟达发出的HBM3e质量测试PRA(产品准备批准)通知,这一消息再度激起市场对三星在HBM存储器领域进展的猜测。

  历经近十年的技术演进,HBM存储器技术已迈入HBM3E时代,市场竞争格局也愈发激烈,美光(Micron)、SK海力士及三星成为该领域的三大主要玩家。据悉,这三家公司已分别在去年7月底、8月中旬及10月初向市场推出了8hi(24GB)的HBM3E样品。

  行业分析机构TrendForce指出,2023年SK海力士在HBM3产品领域表现突出,成为英伟达GPU的主要供应商,其制造技术在业内被认为领先于三星电子和美光等竞争对手。从市场份额来看,SK海力士在2022年全球HBM市场中占据主导地位,市占率高达50%,三星电子紧随其后,占有40%的市场份额,而美光则占据剩余的10%。高盛亦预测,SK海力士在未来两到三年内将能够维持其超过50%的市场份额优势。

  尽管三星电子否认了HBM3E测试通过的具体消息,但相关传闻仍对市场产生了一定波动。在消息传出后,三星电子的股价于7月4日上涨3.6%,触及自4月12日以来的新高;相反,SK海力士的股价则下跌4.7%,遭遇了自6月24日以来的最大单日跌幅,显示出市场对于HBM存储器领域竞争格局变化的敏感反应。

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