日立(HITACHI)耐高压绝缘栅双极型晶体管(IGBT)/碳化硅(SiC)模块

耐高压SiC IGBT模块是一种集成了碳化硅(SiC)材料和绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术的电力电子器件。SiC材料因其出色的热导率和电子迁移率，能够在高温和高电压环境下保持稳定性能，从而显著提高IGBT模块的耐压能力和效率。

 

这种模块特别适用于高压直流输电(HVDC)、电动汽车(EV)充电站和可再生能源系统等需要高效能和高可靠性的应用场景。SiC IGBT模块能够减少能量损耗，提高系统效率，同时由于其耐高温特性，可以减少散热需求，简化冷却系统设计，降低整体系统成本。

 

日立(HITACHI)耐高压碳化硅IGBT模块已广泛应用于铁路和各种电力转换器等领域，并被全球各大领先企业采用。SiC IGBT模块的快速开关速度也使其在处理高频信号时表现更优，进一步扩展了其在现代电力电子系统中的应用范围。

 

碳化硅(全SiC)

·采用SiC MOSFET的超低开关损耗

·高电流密度封装

·低电感

·可扩展，易于并联

 

碳化硅(混合SiC)

·先进的沟槽HiGT - sLiPT技术

·SiC肖特基势垒二极管

·采用SiC二极管的超低恢复损耗

 

3300V E2版

·精细平面HiGT - sLiPT

·低VCE(sat)

·软开关

 

4500V F-H版

·先进的沟槽HiGT - sLiPT技术

·低开关损耗

·高电流额定值

·符合RoHS标准

 

*1 注释：M：批量生产，W：工作样品，U：研发中