今日看点丨消息称蔚来、小鹏等自研智驾芯片将流片；中国移动超级SIM芯片和MCU芯片采用PUF技术

1.台积电6/7nm制程2025年初起降价10%
 
近日有消息称，根据供应链访查，台积电多数客户已同意上调代工价格换取可靠的供应。最新市场消息指出，台积电调涨价格的部分是在市场持续供不应求的3nm最新节点制程上，但6/7nm节点价格出现下跌。
 
市场消息指出，当前台积电6/7nm的产能利用率只有60%，2025年1月1日起将会降价10%。与之相反的是，因3/5nm节点制程产能供不应求，台积电2025年将涨价5%~10%。3/5nm节点制程涨价的原因，在于苹果、高通、英伟达与AMD等四大厂大举包下台积电3nm家族制程产能，并涌现客户排队潮，一路排到2026年。所以受此影响，采用台积电3nm制程的高通骁龙8 Gen 4价格将会上涨，预计也将造成相关终端设备价格的上涨。
 
2. 中国移动超级SIM芯片和MCU芯片采用PUF技术
 
近期，中国移动举办了5G智能物联网产品体系发布暨推介会，旗下芯昇科技发布全球首颗RISC-V内核超级SIM芯片CC2560A、中国移动首颗5G Redcap蜂窝物联网通信芯片CM9610、基于RISC-V架构的高安全MCU芯片CM32M435R三款自研芯片。值得关注的是，超级SIM芯片CC2560A及高安全MCU芯片CM32M435R两款芯片采用了PUF技术。
 
基于超级SIM芯片的超级SIM是一种承载各类敏感数字资产的高安全载体。通过与公安部、人民银行合作发展数字身份、数字人民币等国家级基础民生应用，超级SIM正逐步成为国家新型安全基础设施。
 
3. 全球三大厂扩充HBM产能 明年将倍增
 
SK海力士、三星及美光等全球前三大存储器厂，积极投入高频宽存储器（HBM）产能扩充计划，市场人士估计，2025年新增投片量约27.6万片，总产能拉高至54万片，年增105％。
 
HBM是AI芯片占比最高的零组件，根据外媒拆解，英伟达H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超过生产封装。HBM经历多次迭代发展，进入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相继采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是垄断HBM3市场，而2024年HBM3与HBM3E订单都满载。
 
4. 上车进入倒计时，消息称蔚来、小鹏等自研智驾芯片将流片
 
据报道，蔚来汽车的自研智能驾驶芯片“神玑 NX9031”已经开始流片，并正在进行测试。流片是芯片从设计阶段转向实际制造，为量产和商业化铺平道路。蔚来计划在 2025 年第一季度，将神玑 9031 首次应用于其旗舰轿车 ET9 上。
 
此外，小鹏汽车的自研智驾芯片也已送去流片，预计 8 月份回片。而理想汽车的智驾芯片项目代号为“舒马赫”，预计也将在今年内完成流片。
 
5. 消息称台积电下周开始试产 2nm 芯片，有望率先用于苹果 iPhone 17 系列
 
据报道，苹果芯片代工厂商台积电将于下周开始试产 2nm 芯片，计划在明年将该技术应用于 Apple Silicon 芯片。
 
此次试产将在台积电位于台湾地区北部的宝山厂进行，用于 2nm 芯片生产的设备已于今年第二季度运抵该工厂。苹果预计将在 2025 年将其定制芯片转移到 2nm 制造工艺。iPhone 15 Pro 使用的是采用台积电 3nm 工艺制造的 A17 Pro 芯片。这种工艺可以在更小的空间内封装更多的晶体管，从而提高性能和效率。苹果最近发布的 iPad Pro 中使用的 M4 芯片采用了这种 3nm 技术的增强版。预计转向 2nm 制程将带来进一步的提升，预计性能将比 3nm 工艺提升 10-15%，功耗降低最高可达 30%。
 
6. 本田泰国一工厂将停产汽车，整合产能应对中国品牌冲击
 
7 月 9 日消息，日本汽车制造商本田汽车周二宣布，计划到 2025 年停止位于泰国阿瑜陀耶府的工厂的汽车生产，并将产能整合到其在巴真武里府的工厂。此举凸显了本田在东南亚市场面临的严峻形势，中国品牌正积极进军泰国市场，抢占市场份额，同时消费者对电动汽车的需求也在不断增长。
 
本田发言人表示，公司计划在阿瑜陀耶工厂停产汽车后，将其改造成零部件生产基地。该工厂始建于 1996 年，是本田在泰国仅有的两家工厂之一。另一家位于巴真武里府的工厂建成于 2016 年，将负责全部的汽车生产。现在，日本汽车制造商不仅在中国市场面临着来自中国品牌的竞争，在像东南亚这样的海外市场也同样面临着挑战。越来越多的中国汽车品牌正寻求扩大汽车出口，并在海外建立工厂。上周，比亚迪在泰国开设了一家电池汽车工厂。