三星超车台积电、英特尔，抢头香推10纳米SRAM

　　三星周三宣布，独立领先业界运用10奈米鳍式场效电晶体（FinFET）制程生产SRAM（静态随机存取记忆体），意谓着三星10奈米制程技术或许已经超越台积电（2330），甚至连晶片龙头英特尔（Intel）都被三星超车。

　　SRAM速度比DRAM快，常被当作中央处理器（CPU）的快取记忆体，藉以提高CPU存取效率。台积电与英特尔在SRAM制程技术上目前还分别停留在16与14奈米。

　　三星成功开发新世代SRAM，也代表其处理器制程工艺进阶至10奈米的过程相当顺利，估计有望在2017年初进入全面量产，将使三星争抢处理器代工订单占得有利位置。（ETnews.com）

　　与14奈米SRAM相比，10奈米可将128MB记忆体单位储存面积缩小37.5%，配合10奈米打造的处理器，不仅运算效能加快且占用空间更小。三星希望明年底将10奈米完成商业化。

　　另 外，三星还同时将平面NAND快闪记忆体制程技术从16奈米推进至14奈米，将可降低生产成本、改善营利率。东芝、美光目前还停留在15-16奈米制程阶 段，并认为这是平面NAND记忆体工艺的极致，之后将朝3D堆叠发展。不过在三星做出突破后，或许平面NAND还有进一步延展的可能。