电子说
X射线被广泛应用于元素辨析,纳米结构,医学分析,半导体加工等领域,例如:相干X射线衍射成像,X射线显微镜,X射线等离诊断,深紫外刻蚀技术。 一款合适的X射线相机对于高质量的成像和实验数据分析尤为关键。本文将从X射线能量和使用环境两个角度来探讨如何初步挑选适合的相机。
1. X射线能量范围
从30eV到1000eV能量范围的X光子,容易被镀膜,窗片和电极等材料吸收。这时就需要选择一款无镀膜,无真空窗片,无前端电极的后照型CCD探测器 (Back-illuminated CCD),有利于提高X射线的吸收效率,其原理如下图所示。
从1000eV 到 10keV能量范围的X光,透能力强,能穿透芯片上的电极,这时探测器的吸收效率主要取决于耗尽层(depletion layer)的深度,而非光子照射到CCD上的方向。 X射线能量越高,在耗尽层中被吸收的深度越深,所有整体上来讲,深耗尽的CCD芯片有利于提高X射线的吸收效率。对于下图为不同类型直接探测型相机对X射线的吸收效率。
能量>10keV的X射线,穿透能力太强,如果采用直接探测的方法,反而收集效率会下降。如果允许非真空条件下使用,通常采用间接探测的方法。
而对于高于30keV能量的X射线,已经无法采用直接探测的办法,因为高能量的X射线容易损坏CCD芯片的光敏材料。这时采用荧光屏(Phosphors)将X射线转换成可见光,再用CCD收集可见光成像。
荧光屏对X射线的吸收效率决定了相机的探测效率,普林斯顿仪器的X射线相机可以配置多款在不同能量区间效率优化的荧光屏,来匹配不同的实验需求。
2. 使用环境
使用环境也是决定相机选型的重要因素。 因为开口型CCD的芯片直接暴露在外面,因此需要真空环境才能深度制冷,降低暗噪声。普林斯顿仪器两款直接探测型的X射线相机,PIXIS-XO与PI-MTE都具备超高真空的兼容能力(低于10^-8 torr)。
而对于某些应用情况,需要在非真空环境下使用直接探测型的相机,这时可以选择PIXIS-XB,这款相机在芯片前加上了一块铍窗,即保护了CCD芯片,又可以滤去可见光到深紫外光。
上图中从左至右分别是 PI-MTE,PIXIS-XB 和 PIXIS-XO 三款直接探测型X射线相机。
而对于间接探测型的相机,因为使用了光纤将荧光屏耦合到CCD芯片,所以适合在非真空环境中使用。
普林斯顿仪器的X射线相机在世界各地的高能物理实验中被频繁使用,用优异的性能默默推动着前沿科学的探索。普林斯顿仪器又推出了新款的大面阵CCD相机SOPHIA,其”大低快好“的特点,为X射线工作者提供了更优秀的探测质量。
审核编辑 黄宇
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