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Part 01
前言
Part 02
实例计算
W0=(Vesd0-Vcl)*Vcl*Cesd0
其中Vesd0表示规格书中IC允许承受的最大ESD电压(比如下图的5000V),可以在规格书中找到这个参数,Vcl表示IC内部ESD防护模块的钳位电压(比如下图的64V),Cesd0表示IC ESD测试的放电电容(比如下图的100pF)。
W1=(Vesd1-Vcl*(1+Cext/Cesd1))*Vcl*Cesd1
其中Vesd1表示产品实际测试的最大ESD电压,比如8KV,Vcl表示IC内部ESD防护模块的钳位电压,Cext表示外部添加的ESD电容,Cesd1表示产品实际测试的ESD 放电电容(比如330pF)。
3.添加的外部ESD电容容值如何计算?
基于IC实际吸收的ESD能量W1要小于IC允许的最大ESD脉冲能量W0可以计算出外部电容的最小容值:
Cext_min=((Vesd1-Vcl)*Cesd1/Vcl)-W0/Vcl*Vcl
以接触放电8KV,源电容330pF,放电电阻2kΩ,可以计算出Cext_min>33nF。
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原文标题:一种新的MLCC陶瓷电容用于电路静电ESD保护的电容容值计算方法
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