通用半导体：SiC晶锭激光剥离全球首片最薄130µm晶圆片下线

来源：宽禁带半导体技术创新联盟

江苏通用半导体有限公司（原：河南通用智能装备有限公司）7月12日披露，公司于2024年7月10日用自研设备（碳化硅晶锭激光剥离设备）成功实现剥离出130µm厚度的超薄SiC晶圆片。该设备可以实现6寸和8寸SiC晶锭的全自动分片，包含晶锭上料，晶锭研磨，激光切割，晶片分离和晶片收集的全自动工艺流程，晶片抛光后的形貌可以达到LTV≤2μm，TTV≤5μm，BOW≤10µm，Warp≤20μm。

 

图：8英寸SiC晶锭激光全自动剥离设备

通用半导体自设立以来，一直在高端半导体设备领域深耕，并专注于激光隐切设备的研发和产业化应用，励志成为全球领先的激光微纳加工装备制造商。

通用半导体于2020年研发出国内首台半导体激光隐形切割机；2022年成功推出国内首台18纳米及以下SDBG激光隐切设备（针对3D Memory)；2023年成功研发国内首台8英寸全自动SiC晶锭激光剥离产线；2024年研制成功SDTT激光隐切设备（针对3D HBM）。

通用半导体表示，随着公司激光隐切设备产品覆盖度持续提升，市场应用规模的不断扩大，且公司持续保持高强度的研发投入，迭代升级各产品系列，满足客户在技术节点更新迭代过程中对高产能及更严格的技术性能指标的需求。

 

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