Nexperia斥资2亿美元加速汉堡工厂宽带隙（WBG）半导体研发与生产

全球领先的半导体制造商Nexperia今日宣布将投入高达2亿美元(折合约1.84亿欧元)的资金，以显著扩大其位于德国汉堡工厂的宽带隙(WBG)半导体研究、开发及生产能力。

 

此次投资的核心聚焦于下一代高性能、高功率密度的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术的研发与生产。这两种材料以其卓越的导电性、热稳定性和高频特性，正逐渐成为能源存储、电力转换以及电动汽车等前沿领域不可或缺的关键元件。Nexperia计划利用这些资金，加速SiC和GaN技术的商业化进程，为市场带来更加高效、可靠且成本效益显著的解决方案。

 

 

具体而言，Nexperia汉堡工厂将增设先进的生产线和研发设施，专注于SiC和GaN功率半导体的设计与制造。这些产品不仅将大幅提升能源转换效率，减少能量损耗，还将在电动汽车的电机控制、电池管理系统及快速充电技术中发挥关键作用，推动电动汽车行业向更高效、更可持续的方向发展。

 

此外，为了进一步增强其半导体制造领域的综合实力，Nexperia还计划将部分资金用于扩大其硅(Si)晶圆制造能力。这一举措旨在提升公司在传统半导体器件如二极管和晶体管的生产能力，这些组件在现代电力系统设计中扮演着至关重要的角色，从智能电网到消费电子，无处不在。

 

Nexperia的首席执行官在声明中表示：“我们坚信宽带隙半导体技术将是推动未来能源革命和交通电气化的关键力量。此次对汉堡工厂的重大投资，不仅体现了我们对这一领域的坚定承诺，也彰显了我们在全球半导体市场中的领先地位。我们期待通过不断的技术创新和产能扩张，为全球客户创造更多价值，共同推动行业进步。”

 

随着Nexperia汉堡工厂宽带隙半导体项目的推进，全球半导体行业正迎来一场前所未有的技术革新与产业升级，为构建更加绿色、智能的未来世界奠定坚实基础。