Vishay推出新型890nm高速红外发光二极管

新型 890 nm 高速红外 (IR) 发光二极管

高速器件采用表面发射器芯片技术

优异的 VF 温度系数达 -1.0 mV/K

Vishay 推出一款采用透明无色引线型塑料封装的新型 890 nm 高速红外 ( IR ) 发光二极管，扩充其光电子产品组合。Vishay Semiconductors ‍TSHF5211 ‍基于表面发射器芯片技术，优异的 VF 温度系数达 -1.0 mV/K，辐照强度和升降时间优于前代器件。

日前发布的发光二极管 100mA 驱动电流下典型辐照强度达 235 mW/sr，比上一代解决方案提高 50 %。器件开关时间仅为 15 ns，典型正向电压低至 1.5 V，半强角只有 ±  10°，适用作烟雾探测器和工业传感器的高强度发光二极管。这些应用中，TSHF5211 可与硅光电探测器实现良好的光谱匹配。 器件符合 RoHS 和 Vishay 绿色标准，无卤素，无铅 ( Pb )，可采用温度达 260 °C 的无铅焊接。

TSHF5211 现可提供样品并已实现量产，大宗订货供货周期为 20 周。