狠甩SK海力士、美光！三星 10纳米DRAM 量产，记忆体脱离20纳米世代

　　相较于 SK 海力士、美光在 2015 年年中 20 奈米才导入量产，加速 20 纳米製程转换，在 2016 年才要进入 18/16 纳米製程竞赛的同时，早已抢先导入 20 奈米的叁星，现在直接丢出 10 纳米 8 Gb DDR4 DRAM 量产的震撼弹，意图大幅甩开对手纠缠。

　　叁星在 5 日宣布量产 10 奈米 8 Gb DDR4 DRAM，抢先 DRAM 大厂推出 10 奈米製程产品。叁星指出，新的 10 奈米 8Gb DDR4 资料传输率可达 3，200 Mbps，较上一代 20 奈米 8Gb DDR4 速度提升 30%；并较 20 奈米相同产品省下 10~20% 的电力，这对于高效能运算（HPC）、资料中心或大型企业网络而言，有一定的吸引力，除了 PC 以外，叁星加速抢攻 IT 设备市场的企图明显，10 奈米产品线涵盖 4GB PC 模组，到 128 GB 企业用伺服器，预估年底将大量供货。而叁星也预告，今年稍晚将会推出 10 奈米製程 mobile DRAM，进入 ultra-HD 智慧手机时代。

　　当製程转进 10 奈米，微缩更加不易，不过，叁星这次还是用 ArF 浸润式微影技术，还未用到被视为 10 奈米以下製程微缩关键的极紫外光（EUV）微影技术。不同于 NAND Flash，DRAM 一个记忆胞（cell）就有一个电晶体与电容，当製程下到 10 奈米，线宽狭小到难以直接将电容堆叠于上头，叁星利用四重曝光（quadruple patterning technology，QPT）技术，来改变 10 奈米记忆胞结构，让电晶体与电容足以有空间做连结。

　　DRAM 製程转进为什么变得缓慢？

　　电容问题，成为 DRAM 转进 10 奈米以下製程的技术难点，另一方面，记忆体大厂在先前 DRAM 大崩盘下咬牙苦撑下来，却仍旧面临市况持续不佳的景况，近几年製程的提升逐渐变得缓慢，也大幅降低投资的比重，当逻辑製程已来到 14/16 奈米，记忆体製程才在 20 奈米，逐步要踏进 18/16 奈米而已，但对横跨记忆体与晶圆代工的叁星而言，即拥有掌握记忆体市场技术转进的本钱。

　　叁星与台积电、英特尔之间的逻辑製程竞赛，已进入 10 奈米以下製程争战，由于记忆体製程较逻辑製程容易，台积电、叁星通常都以 SRAM、DRAM 来练兵，製程的转进先从记忆体下手，当良率提升到一定程度再导入逻辑产品。

　　叁星在 2015 年 11 月中即发表 10 奈米 FinFET SRAM，叁星在製程技术即领先记忆体群雄，现在 DRAM 製程一举转进 10 奈米，藉此狠甩对手的意图不言可喻。

　　台积电在去年 12 月底，于供应链管理论坛也透露，早已成功以 7 奈米製程产出 SRAM，而且预告供应链伙伴可开始準备 5 奈米，接下来逻辑製程竞赛同样可期，依台积电与叁星先前说法，10 奈米製程量产约在 2016 年底，英特尔第一颗 10 奈米 CPU 则延至 2017 年下半。不只记忆体製程竞赛出现大变化，逻辑製程竞赛同样可期。