紫光/武汉新芯布局NAND Flash 中国存储器产能闪耀

　　中国大陆厂商在NAND Flash产业链的相关布局与投资不断开展，成为中国大陆半导体业挥军全球的下一波焦点。TrendForce旗下拓墣产业研究所最新研究报告显示，随着紫光国芯（原同方国芯）投资、武汉新芯扩厂，及国际厂如三星、英特尔增加产能，预估2020年中国大陆国内Flash月产能达59万片，相较于2015年增长近7倍。

　　TrendForce预估2012~2016年NAND Flash生产端年平均位元增长率达47%，其最终消费端需求年平均位增长率亦高达46%，显示NAND Flash仍为高速发展产业。拓墣研究经理林建宏表示，中国大陆在突破内存自制缺口的政策方针下发展Flash晶圆制造，可由NAND Flash产品特性、3D NAND需求、新兴市场的增长空间、及国际半导体大厂在中国大陆投资四大方向切入。

　　1.NAND Flash产品特性（资金成本）：产品在消费性应用下，价格是主要考虑，因此生产成本的控制至为关键。中国大陆厂商宜透过折旧认列年限调整、租赁、税负与资金成本等因素操作为切入点。

　　2.3D NAND需求（制程微缩）：Flash在进入2x纳米后，制程微缩带来的成本优势越来越不明显，延迟了国际Flash大厂技术进程，因此3D-NAND Flash成为成本继续降低的重要方法。林建宏指出，产品由2D到3D，需有新的技术领域加入，若能整合跨领域人才和技术，便能成为中国大陆厂商追赶的机会。

　　3. 新兴市场增长空间：虽然Flash产业短期仍处于供过于求，但长期而言新兴市场仍有增长空间。中国大陆采用“一带一路”政策发展的策略，对开发其周遭新兴市场需求有相当帮助，妥善安排资源与发挥对新兴国家的影响力，将是中国大陆独有的优势所在。

　　4. 半导体大厂在中国大陆投资（人力与市场）：国际半导体厂商积极投入中国大陆，在当地培养有经验和技术的人才，支持厂房运维的高度需求，有助降低中国大陆发展自主Flash制造的门槛。中国大陆透过广大的人力和市场成功吸引国际厂商的进驻，为中国大陆发展Flash产业带来最好机会。