安森美GaN功率器件iGaN NCP5892x系列更简单容易

GaN功率器件的应用在消费类产品电源近年相当普及，大大提升了电源的效率和功率密度，其优点和用量递增，也逐渐延伸到服务器和工业电源领域。 

安森美（onsemi）新推出的iGaN NCP5892x系列，集成eGaN与驱动电路一体化，让电源工程师在GaN的应用更简单容易，

现成的集成GaN驱动器

GaN器件是最高性能的开关，提供极低的静态和动态损耗。当与驱动器共同封装时，它们在高性能电源转换器设计中简单应用，可满足严格的能效规范，如80 Plus Titanium。

驱动GaN器件的最佳和最简单的方法是使用预先优化的集成驱动器方案，如安森美的NCP58920或NCP58921。 这些器件是650 V增强型GaN器件，具有150 mΩ和50 mΩ的导通电阻，适用于所有常见的转换器拓扑结构，包括TPPFC，它们在“硬开关”应用中表现特别好，其中GaN具有显著优势。

在一个典型的低成本、TPPFC+LLC转换器中，一对NCP58921器件能提供超过250 W的直流输出，能效近95%。但在服务器电源中，以优化的导通模式和磁学，可达到80+ Titanium的目标。

图1：使用安森美的NCP58291集成GaN+驱动器的PSU，能效峰值约95%

NCP5892x器件采用热能效高的PQFN 8x8封装，焊盘裸露，结点到板的热阻为0.4 °C/W。驱动器部分的电源电压是非触发、非门限的，最低8.5 V，最高20 V，因为该器件内部含一个6 V钳位的低压降稳压器(LDO)用于GaN HEMT驱动器，如果需要还可集成一个用于外部数字隔离器电源的5 V LDO。