Intel大连工厂投产:造世界最先进3D NAND!

半导体新闻

66人已加入

描述

  经过8个多月的努力,英特尔大连非易失性存储(NVRAM)制造新项目7月初在大连实现提前投产。

  去年10月,英特尔公司宣布投资55亿美元将大连工厂建设为世界上最先进的非易失性存储器制造工厂,该项目是迄今为止英特尔在中国的最大一笔投资。

  新项目的存储产品是新的3D NAND存储产品,是世界上还没有人采用过的最先进技术,按照三维结构来制造存储单元。

  关于Intel 3D XPoint,最早发表于去年8月的IDF大会,这是一种基于电阻的非易失性内存存储方案,应用代表包括基于该技术的Optane固态硬盘、DIMM内存条等,前者比传统固态硬盘快足足5-7倍,后者号称可比传统DDR内存提供最多4倍的高容量、最低1/2的成本。

  另外,Intel 200系新主板也将开始支持Optane固态硬盘。

  据了解,英特尔大连工厂是英特尔在亚洲的唯一的晶圆制造工厂。

打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分