三星和IBM研究MRAM，欲取代DRAM

　　三星电子（Samsung Electronics）与IBM携手研发出11纳米制程的次世代存储器自旋传输（Spin Transfer Torque）磁性存储器（STT-MRAM）。两家公司也表示，预计在3年内展开MRAM量产，也引起了业界高度的注目。

　　韩媒指出， STT-MRAM是可望取代传统DRAM、SRAM的新世代存储器技术。与目前的NAND Flash相比，写入速度快上10万倍，而读取速度则是快上接近10倍。由于STT-MRAM只要透过少量电力就可以驱动的非挥发性存储器，不使用时也完全不需要电力。

　　MRAM的另外一项特征是寿命时间无限。NAND Flash反覆读写后，寿命就会大幅缩短。虽然最近靠着技术的发展，已经延长了NAND Flash的使用寿命，但仍未出现颠覆性的改善技术。

　　MRAM自2007年亮相，2011年三星电子买下拥有STT-MRAM技术的开发公司Grandis。而SK海力士（SK Hynix）则是与东芝（Toshiba）合作，共同研发MRAM技术。

　　然而，这样比NAND Flash读写速度还快，又没有寿命问题的MRAM却有一个致命的缺点，那就是50纳米以下的微细制程相当困难，费用又极为庞大。过去这段期间，半导体大厂如英特尔（Intel）、美光（Micron）等虽然积极进行MRAM的研发，但到目前为止，都未能研发出比NAND Flash更高整合度、更低生产价格的MRAM，以致迟迟不能商品化。

　　在此次三星与IBM共同研发成功研发11纳米MRAM之后，情况将有望大幅转变。用在物联网（IoT）装置感测器、移动装置等领域的机会将会无穷无尽。长期来看，更有望可以取代NAND Flash市场。

　　另一方面，三星与IBM除了在次世代存储器事业上有合作以外，也传出正在研拟于人工智能（AI）、半导体事业的合作方案。