新研究成果相变内存 比传统DRAM快1000倍

　　下一代内存的读取速度会比现在快多少?来自美国斯坦福大学的研究人员认为，相变内存(Phase-Change Memory，PCM)很可能是现在DRAM内存性能的1000倍。

　　其实相变内存已经不是什么新鲜事物，IBM、英特尔等科技巨头早已开始了相变内存的研发工作，而其大致原理就是巧妙利用了一种特殊物质在通电条件下可由无定形态转变为结晶态的特性，以此来存储数字信息，但是这种技术的短板在于相变过程存在较为明显的延迟，而这对于相变内存的存取速度至关重要。

　　斯坦福大学的最新研究结果显示，在0.5THz强度的电脉冲情况下，仅需几皮秒(1秒等于1012皮秒)相变内存就能产生用于存储数据的结晶纤维，尽管其他大部分依旧呈无定形状态，但基于以上实验结果，可以认为相变内存的相变过程基本在皮秒级别，而现在的DRAM(1秒等于109皮秒)内存是用纳秒来衡量的，如此一来便是1000倍的差距(1纳秒等于103皮秒)，也就是说相变内存的存储速度理论上能够达到DRAM内存的1000倍，同时能耗较低且断电后数据不会丢失。

　　Aaron Lindenberg教授表示，虽然该研究成果非常基础，但是却充满前景，功耗更低速度更快的相变内存或许真的不太远了。