主频3.0GHz!骁龙835或将首发于三星新旗舰S8

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  上周,高通与三星共同展示了下一代顶级旗舰处理器——骁龙835,同时表示将会率先采用三星10nm FinFET工艺制造,目前已投产。不过并没有透露有关该芯片的具体规格等更多信息。现在有网友指出:骁龙835将会采用自主架构、八核设计,另外也有网友爆料称骁龙835的主频将会高达3.0GHz。

骁龙835

  根据微博网友@草包科技 微博中透露的消息,骁龙835的编号为MSM8998(骁龙820/821 MSM8996/MSM8996 Pro),将会采用升级版64位自主架构Kyro 200,采用四大+四小的八核设计,Kyro架构也是从骁龙820开始启用的自主架构。有关于芯片的主频部分,微博网友@i冰宇宙 表示骁龙835的主频将会高达令人震惊的3.0GHz。

  其他方面,骁龙835集成了Adreno 540 GPU,基带则是LTE X16,最高支持LTE Cat.16,理论下载速度高达1Gbps,上传则能达到150Mbps。另外,@草包科技 微博中的表格显示,骁龙835将在2017年第一季度量产,首发的是三星新旗舰Galaxy S8,明年二月底的MWC 2017大会前发布,而国产机型将在明年年中跟进。

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