高通骁龙835上周发布 骁龙835规格曝光：支持Quick Charge 4快充技术

　　11月17日，高通抢先于明年CES大会来临之前，首先发布旗下新一代旗舰芯片骁龙835。据悉，该芯片采用三星10nm工艺制造，性能比前一代提升27%，整体功耗降低高达40%。近日，一组骁龙835规格参数图已经在网上曝光，骁龙835将采用4+4 8核心数，使用自主研制的Kryo架构，最高频率可达到3GHz以上，并支持最新 Quick Charge 4 快充技术。

　　今年10月，三星宣布率先在业界实现了10纳米 FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。通过采用10纳米FinFET工艺，骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合，预计将会显著提升电池续航。

　　最新骁龙835处理器将支持Quick Charge 4快速充电，比起Quick Charge 3.0，其充电速度提升20%，充电效率提升30%。另外其具备更小的芯片尺寸，能为手机厂商提供更灵活的内部空间设计。

　　目前骁龙835已经开始进行生产，不过它要等到2017年上半年才能正式出货，搭载这款处理器的手机也会在此时推出。