泛林集团推出第三代低温介质蚀刻技术Lam Cyro 3.0

　　半导体设备领军企业泛林集团（Lam Research）近日震撼发布其专为3D NAND Flash存储器制造设计的第三代低温介质蚀刻技术——Lam Cryo 3.0。据泛林集团全球产品部高级副总裁Sesha Varadarajan介绍，这一技术革新标志着向实现1000层堆叠3D NAND Flash闪存生产的宏伟目标迈出了坚实步伐。

　　作为行业内的技术先锋，泛林集团的低温蚀刻技术已成功应用于超过五百万片晶圆的生产，而Lam Cryo 3.0的推出，无疑是3D NAND Flash闪存制造领域的一次重大飞跃。该技术能够在埃米级精度上塑造出高深宽比的图形特征，同时显著减少对环境的负担，其蚀刻效率是传统介电技术的两倍以上，彰显了其在效率与精准度上的双重优势。

　　针对AI时代对NAND Flash闪存制造提出的更高要求，Lam Cryo 3.0应运而生，专为解决关键制造难题而生。在构建3D NAND Flash闪存时，细长且垂直贯穿各层的孔道是实现层间存储单元互联的关键。然而，即便是原子级别的细微偏差，也可能对产品的电气性能和最终良率造成不利影响。

　　为了克服这一挑战，Lam Cryo 3.0集成了高能密闭式等离子反应器、超低温工作环境（远低于0°C）以及创新的化学蚀刻材料，实现了深宽比高达50:1、深度可达10微米的通道蚀刻，且从顶部到底部的特征尺寸偏差控制在惊人的0.1%以内。相比传统技术，Lam Cryo 3.0不仅将蚀刻速度提升至2.5倍，还实现了能耗降低40%和排放量减少90%的环保成就，为未来更高层数堆叠的3D NAND Flash闪存生产提供了理想的解决方案。