台积电投资5千亿在3nm制程，或将于2022年量产

　　台积电要在晶圆代工市场维持龙头大厂地位，除了要拥有庞大的产能来满足不同客户需求外，还必须在先进制程的推进上领先竞争同业。

　　***科技部长杨弘敦12月6日表示，台积电拟投资5，000亿元（新台币）在3nm最新制程。

　　其实早在9月29日，台积电共同CEO刘德音就透露过3nm制程的计划进度，他表示在先进制程的发展进度上，除10纳米制程将在2017年第1季量产之外，7纳米制程的投产进度也在规划当中。另外，除5纳米制程目前正积极规划之外，更先进的3纳米制程也已组织了300到400人的研发团队。

　　当下半导体先进制程竞争激烈，台积电不仅面临着韩国三星电子抢单的压力，其大客户之一英特尔也对晶圆代工市场抱持兴趣。此前三星抢先秀出其10nm工艺，已让台积电察觉到了危机。因此，台积电要在晶圆代工市场维持龙头大厂地位，除了要拥有庞大的产能来满足不同客户需求外，还必须在先进制程的推进上领先竞争同业。

　　据了解，台积电将10纳米及7纳米视为同一制程世代，有9成以上的设备可以共通互用，所以，Fab 15的第5期至第7期等3座晶圆厂，都可支援10纳米及7纳米制程。台积电现已替联发科、苹果、海思等大客户代工10纳米手机晶片或应用处理器；至于7纳米的量产时间点将落在2017年底、2018年初，包括可程式逻辑闸阵列（FPGA）大厂赛灵思（Xilinx）、绘图晶片大厂辉达（NVIDIA）等，已决定采用台积电7纳米生产新一代晶片。

　　

　　台积电预期7纳米量产的2年后，也就是2020年就可顺利进入5纳米世代，并已开始进行5纳米制程的研发。除了在材料上可能有所改变，FinFET结构也可能变更，5纳米将是台积电首度将极紫外光（EUV）微影技术导入量产的主要制程节点。因此，台积电将在南科园区Fab 14第8期至第10期，规划建立5纳米制程庞大产能，全部完工后月产能可望上看10万片规模。

　　在5纳米之后的3纳米，若依摩尔定律进行，将在2022年后进入量产阶段，而台积电将在南科持续扩建Fab 15新厂第11期及第12期工程，业界认为，台积电3纳米应该会以EUV微影技术为主力的先进制程节点，不仅成本可望大幅降低，还能提供更好的功耗。