台积电打算兴建晶圆厂 目标是2022年率先导入3nm

晶圆代工大厂台积电（TSMC）表示，该公司打算兴建下一座晶圆厂，目标是在2022年领先市场导入5纳米到3纳米制程节点。

随着IC产业掀起整并风潮，台积电、三星（Samsung）与英特尔（Intel）等半导体大厂近年来在制程技术上的竞争也日益激烈，以争取来自无晶圆厂客户如苹果（Apple）、高通（Qualcomm）等的高利润订单；台积电的目标是在南科高雄园区兴建新厂，以寻求领先竞争对手至少五年。

台积电发言人孙又文（Elizabeth Sun）向***本地媒体证实，科技部长杨弘敦在数月前曾经与台积电会谈，因此该公司趁机提出了未来发展计划：「我们希望他知道我们需要一片土地，因为***其他科学园区都已经没有空间。」

孙又文表示，台积电的新厂需要至少50~80公顷的土地，投资额约5，000亿新台币（约157亿美元）；2022年是一个预估的时间表，还需考虑晶圆厂兴建过程中无法预期的延迟因素，最近台积电有部分计划就因为召开环境评估公听会等因素而延迟了一年之久。

此外台积电也敦促***政府能及时给予该公司的新厂在土地、电力供应等基础建设方面的支持；孙又文指出，过去台积电在***的其他厂区就曾面临电力与水源短缺的问题：「我们将希望政府提供的基础建设需求提出，所有的东西都需要长期规划，而政府全权管理科学园区。」

而台积电也表示该公司尚未决定是否将在5纳米与3纳米节点采用极紫外光（EUV）微影技术；「我们目前的计划是在5纳米节点广泛采用EUV，」不过孙又文强调：「这是建立在届时EUV技术已经准备就绪的前提下。」

台积电预计在2017年量产7纳米节点，5纳米节点预定量产时程则为2019年，以支持智能型手机与配备包括虚拟现实（VR）、扩增实境（AR）等功能的高阶行动装置应用。

目前全球各家半导体领导厂商的目标是导入10纳米制程；台积电在今年第三季已经将10纳米制程由开发阶段转为准备量产，并已经有5款行动产品应用的芯片投片，估计首款10纳米芯片将于明年第一季量产。台积电预期，高阶智能型手机芯片将在2017年由16纳米迈进10纳米制程节点。

三星的目标是在今年底之前推出以10纳米FinFET制程生产的SoC，一举领先对手英特尔与台积电；至于英特尔则在今年稍早表示，该公司的10纳米制程将超越其他晶圆代工业者，应用于为LG等厂商制造ARM核心手机芯片。

编译：Judith Cheng

（参考原文： TSMC Plans New Fab for 3nm，by Alan Patterson）