10纳米FinFET工艺制程的Exynos8895呼之欲出

据悉高通会在CES 2017上公开更多骁龙835详细信息，而备选首发机型也基本已经确认，包括小米6、三星Galaxy S8等。不过，在移动芯片领域，高通并不是唯一的参与者，三星同样是最大的半导体厂商之一，不仅为高通代工生产 Snapdragon 835 芯片，自家也有 Exynos 产品线，而三星为明年准备的旗舰芯片正是 Exynos 8895。

有关三星 Exynos 8895 芯片的细节悄然被泄露到了网络上。正如预期，既然是对位高通骁龙 835，Exynos 8895 也采用了自家最新的 10 纳米 FinFET 工艺制程打造。不过与之前 Exynos 芯片不同的是，新的 Exynos 8895 分为了两个版本，一个是 Exynos 8895V，另一个是 Exynos 8895M。

其中Exynos 8895M为高配版，CPU核心架构为猫鼬M2+A53，其中猫鼬M2最高主频为2.5GHz，而A53主频为1.7GHz，GPU为20核的Mali-G71，频率为550MHz。此外三星Exynos 8895M还支持4通道LPDDR4X内存，UFS 2.1闪存，4K屏幕分辨率，LTE Cat.16的载波聚合，并且还有5模基带。

8895V的猫鼬M2核心主频只有2.3GHz，同时GPU为18核。其他方面Exynos 8895M基本相同，不支持CDMA，不过据悉在17年Q3这两款处理器可搭配S359外挂基带，手机厂商们可用此开发支持6模全网通的手机。

 

可以确定的是，Exynos 8895 这两个不同型号的芯片，都将支持 4 通道的 LPDDR4X 内存、UFS 2.1 储存、4K 分辨率屏幕和 Cat.12 LTE 网络，但是集成的调制解调器并不支持 CDMA 网络。因此，明年三星的旗舰机如果用上 Exynos 8895 芯片，那么可能也还会有 Snapdragon 835 版本，毕竟后者是全网通基带，适用于多个国家或地区的网络。

目前还不清楚 Exynos 8895 的实际性能如何，只知道 GPU 的频率都是 550MHz，相比今年的 Mali-T880 GPU 将可提供高达 80％ 以上的性能提升，并进一步增强对 4K 内容和显示屏的支持，但 20 个 GPU 内核单元有点惊人。至于 M2 定制的 CPU 内核，之前曾有消息报道称，正式版 Exynos 8895 的 CPU 频率可以飙升到 3GHz，但得益于 10 纳米的工艺制程，最大功耗仅为 5 瓦。

另外，按照之前的说法，三星 Exynos 8895 芯片将会在 2017 年的第二季度推出，可能那个时候三星的旗舰才会正式发货，大概会是明年 4 月份。