紫光3D储存型快闪记忆体武汉动工 总投资超240亿美元

中国紫光集团宣布，投入快闪记忆体战场，在武汉兴建全球规模最大厂房，总投资金额超过240亿美元，引发产业界震撼。

紫光集团董事长赵伟国：“我们在武汉投资两百四十亿美金的芯片工厂，已经正式动工，昨天我刚刚在成都，和四川省签下了两千亿的协议。我们会在那里投资一个，也是一个超过两百亿美金芯片的工厂”

2016年12月，紫光集团赵伟国，布局半导体战略，先是与成都市、新华集团共同签署战略合作协议，要在四川打造百亿云计算中心。

12月30日，紫光宣布动工，兴建三座全球最大3D储存型快闪记忆体（NAND Flash）厂，地点选在武汉东湖高新区，占地1，968亩，投资金额240亿美元，第一期计划2018年建成启用投产，2020年全部完工，月产能将达到30万片，年产值超过100亿美元。

赵伟国：“来满足中国本土市场，和国家战略以及产业发展的需要。”

这项投资计划，引发市场震撼，尤其是投资方面，结合紫光集团、中国国家集成电路大基金，还有地方政府共同出资，可说以国家战略推动，结合市场企业运作的合作模式。

台经院产业顾问 刘佩真：“不过如果就中长期来看，中国在记忆体的一个市场，势必会进行零到壹的突破，势必会打破目前Nand Flash，由韩国日本跟美国业者寡占的一个局面，其实都会带来比较大的竞争压力。”

全球快闪记忆体主要厂商，包括南韩三星、SK海力士，美国旗下英特尔、美光，以及日本东芝，产量各自约占四万片到十万片，近期不约而同喊话加码扩厂，如今紫光也宣布2018年投产下，恐怕引发产能竞赛，市场供过于求。

尤其紫光的下一步，恐怕将跨足DRAM制造，找来高启全担任重要高层干部，预料对半导体业界人才挖角态势，会更加明显。