高通骁龙835发布：十纳米八核只要不烫就是好“芯”

 CES 2017 前夕，高通发布了新一代旗舰芯片骁龙 835 。骁龙 835 是一颗 8 核芯片，采用三星半导体的 10 纳米工艺， 自主定制的 Kryo 280 架构、集成了 X16LTE 基带。

与上一代芯片相比，骁龙 835 封装尺寸减小35%、功耗降低 25 %、性能提升了 27 %，而续航时间则增加了 2.5 个小时。

除此之外，骁龙 835 还支持快充 Quick Charge 4 技术、支持双摄像头、支持 VR 、支持指纹识别以及基于面部的眼球或生物识别等。

这不是高通首次推出 8 核芯片，上一代高通 8 核芯片是“著名”的骁龙 810 ，因发热严重，这款芯片曾一度让高通和主流安卓手机厂商尴尬。

如今，又一款高通 8 核芯片问世，高通自然不想重蹈覆辙，因此从自研的 Kryo 280 架构以及 10 纳米先进制程工艺等方面，改进芯片过热的问题。

除此之外，新推出的快充 Quick Charge 4 技术不仅能带来充电 5 分钟，通话5小时的神奇体验，而且还引入了更精细的电压协商机制和安全保护机制，确保终端设备的快充安全。

相信不烫的高通旗舰芯片发布，将会让手机厂商集体高潮。不过业界分析，鉴于此次高通与三星半导体的合作，首批搭载高通骁龙 835 芯片的可能只有三星 Galaxy S8 ，至于其他手机厂商，估计还要再等一段时间，才能用上这款芯片。