【图文】ARM、赛灵思首发TSMC 7nm：2017年初流片，2018年将上市

TSMC、三星不仅要争抢10nm工艺，再下一代的7nm工艺更为重要，因为10nm节点被认为是低功耗型过渡工艺，7nm才是真正的高性能工艺，意义更重大。现在ARM宣布已将Artisan物理IP内核授权给赛灵思（Xilinx）公司，制造工艺则是TSMC公司的7nm。该芯片明年初流片，不过2018年才会正式上市。

赛灵思是重要的FPGA芯片公司，也是TSMC公司的大客户之一，TSMC的新工艺大多是FPGA芯片首发，这次合作也不例外。ARM授权赛灵思公司在TSMC公司的7nm工艺上使用自家的Artisan物理IP内核，后者是ARM开发的PGA（Power Grid Architect），可以优化集成电路的电源栅极，号称减少10%的芯片面积，提升20%的面积利用率。

根据ARM、赛灵思的信息，该物理IP预计在明年初流片，2017年出样给客户，不过正式上市要等到2018年。这个时间点跟TSMC宣布的7nm量产时间差不多，该公司之前多次强调会在2018年量产7nm工艺。

ARM、赛灵思首发TSMC的7nm工艺

那么7nm工艺到底能带来多大的提升？恰好TSMC这两天公布了部分7nm工艺细节，他们已经使用7nm工艺试产了256MB SRAM电路，cell单元面积只有0.027mm2，读写电压0.5V，与16nm工艺相比速度可以提升40%，或者功耗降低65%。
 

TSMC的7nm工艺优势

不过TSMC这个对比中还隔了一个10nm，他们之前也公布过与10nm工艺的对比，7nm工艺下晶体管速度提升20%，或者能耗降低40%。