EUV光刻工艺可用到2030年的1.5nm节点

半导体制造工艺进入10nm之后，难度越来越大，Intel为此多次调整了产品策略，10nm工艺的产品推迟到今年底，以致于很多人认为摩尔定律将死。推动科技进步的半导体技术真的会停滞不前吗？这也不太可能，7nm工艺节点将开始应用EUV光刻工艺，研发EUV光刻机的ASML表示EUV工艺将会支持未来15年，部分客户已经在讨论2030年的1.5nm工艺路线图了。

此前的报道中我们也解释了半导体芯片制造过程中，光刻是非常关键的一步，决定了芯片的技术水平。目前使用的是沉浸式光刻工艺，未来则是EUV（即紫外光刻）工艺。不过EUV工艺研发实在太难了，早在2006年业界就开始联合研发EUV工艺，直到10年后的今天，EUV光刻机才开始小批量生产，荷兰ASML公司日前在财报中提到去年底他们售出6台EUV光刻机，总数达到了18台，总价值超过20亿欧元。

今年半导体公司将升级到10nm节点，不过还是用不上EUV工艺，ASML表示在2018年底到2019年初的7nm工艺节点上，EUV工艺才会正式启用，那时候传统的沉浸式光刻工艺也会遭遇极限。

现在半导体公司提到的新一代制程工艺除了7nm之外，还有5nm、3nm，那么更远的未来呢？ASML公司CEO Peter Wennink在接受采访时表示EUV工艺不仅能降低7nm、5nm的成本，他们还看的更远，可支撑未来15年，也就是考虑2030年前后的工艺了，ASML表示已经有客户在讨论未来的1.5nm工艺路线图了。

如ASML所说，EUV工艺未来也会升级，现在的EUV工艺数值孔径还是0.33，可用两三代工艺，不过去年他们宣布20亿美元入股卡尔蔡司子公司SMT，双方将合作开发0.5孔径的EUV工艺，还可以再支撑两三代工艺，不过这样的EUV光刻机要等到2024年才能问世。